这款先进的平面条纹HEXFET?功率MOSFET利用最新的加工技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。这种HEXFET功率MOSFET的其他特点是175°C的结工作温度、低RθJC、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这种组合使该设计成为在各种应用中使用的极其高效和可靠的选择。
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
允许高达Tjmax的重复雪崩
无铅
工业电机驱动
额定功率：330 W
针脚数：3
漏源极电阻：0.007Ω
极性：N-Channel
耗散功率：330 W
阈值电压：4 V
输入电容：5310pF 25V
漏源极电压(Vds)：75 V
漏源击穿电压：75 V
连续漏极电流(Ids)：140A
上升时间：140 ns
输入电容(Ciss)：5310pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：330 W
下降时间：120 ns
工作温度(Max)：175℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：330W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.67 mm
宽度：4.83 mm
高度：16.51 mm
封装：TO-220-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：电源
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