HEXFET?功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的加工技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。这种HEXFET功率MOSFET的其他特点是175°C的结工作温度、快速的开关速度和改进的重复伏安额定值。这些优点相结合，使这种设计成为一种极其高效可靠的设备，可用于各种应用。
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
允许高达Tjmax的重复雪崩
无铅
额定功率：200 W
针脚数：3
漏源极电阻：0.0053Ω
极性：N-CH
耗散功率：330 W
阈值电压：4 V
输入电容：5480 pF
漏源极电压(Vds)：55 V
漏源击穿电压：55 V
连续漏极电流(Ids)：169A
上升时间：190 ns
输入电容(Ciss)：5480pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：330 W
下降时间：10 ns
工作温度(Max)：175℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：330W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.67 mm
高度：8.77 mm
封装：TO-220-3
材质：Silicon
工作温度：-55℃~175℃(TJ)
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：Automotive,车用
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