HEXFET?功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的加工技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。这种HEXFET功率MOSFET的其他特点是175°C的结工作温度、快速的开关速度和改进的重复伏安额定值。这些优点相结合,使这种设计成为一种极其高效可靠的设备,可用于各种应用。
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
允许高达Tjmax的重复雪崩
无铅
额定功率:200 W
针脚数:3
漏源极电阻:0.0053Ω
极性:N-CH
耗散功率:330 W
阈值电压:4 V
输入电容:5480 pF
漏源极电压(Vds):55 V
漏源击穿电压:55 V
连续漏极电流(Ids):169A
上升时间:190 ns
输入电容(Ciss):5480pF 25V(Vds)
额定功率(Max):330 W
下降时间:10 ns
工作温度(Max):175℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):330W(Tc)
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.67 mm
高度:8.77 mm
封装:TO-220-3
材质:Silicon
工作温度:-55℃~175℃(TJ)
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
制造应用:Automotive,车用
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