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BSP742T
阅读:669时间:2024-08-23 15:00:59

N沟道垂直功率FET,带电荷泵,接地参考CMOS兼容输入,采用Smart SIPMOS?技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

技术参数

电源电压(DC):5.00V(min)
  输出接口数:1
  输出电流:800 mA
  供电电流:1 mA
  通道数:1
  针脚数:8
  耗散功率:1.5 W
  输出电流(Max):800 mA
  输出电流(Min):0.8 A
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-40℃
  耗散功率(Max):1500 mW
  电源电压:5V~34V

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:8
  封装:PG-DSO-8

外形尺寸

长度:5 mm
  宽度:4 mm
  高度:1.45 mm
  封装:PG-DSO-8

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free
  REACH SVHC标准:No SVHC

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:Decentralized Light Module,HEV Main Battery 

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