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阅读:231时间:2024-08-23 14:33:16

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管;串联基极电阻器和基极-发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中来消除它们。使用快速公交系统可以降低系统成本和电路板空间。

特征说明

?汽车和其他应用的S和NSV前缀
  要求独特的现场和控制变更要求
  AEC-Q101合格,PPAP能力
  ?简化电路设计
  ?减少电路板空间
  ?减少组件数量
  ?这些设备不含铅、不含卤素/BFR,符合RoHS标准

技术参数

无卤素状态:Halogen Free
  极性:PNP
  耗散功率:0.385 W
  击穿电压(集电极-发射极):50 V
  集电极最大允许电流:100mA
  最小电流放大倍数(hFE):35 5mA,10V
  额定功率(Max):385 mW
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):385 mW

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:6
  封装:SC-70-6

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)

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