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FDP61N20
阅读:227时间:2024-08-23 14:26:28

UniFET?N通道MOSFET,Fairchild Semiconductor
  UniFET?MOSFET是Fairchild Semiconductor的高电压MOSFET系列。它平面MOSFET中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外,内部栅极-源极ESD二极管让UniFET-II?MOSFET可以耐受超过2000V HBM浪涌应力。
  UniFET?MOSFET适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示屏(FPD)电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。

技术参数

针脚数:3
  漏源极电阻:0.034Ω
  耗散功率:417 W
  阈值电压:5 V
  漏源极电压(Vds):200 V
  上升时间:215 ns
  输入电容(Ciss):2615pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):417 W
  下降时间:70 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):417 W

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.67 mm
  宽度:4.83 mm
  高度:9.4 mm
  封装:TO-220-3

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Rail,Tube
  制造应用:照明,电源管理
  含铅标准:Lead Free

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