这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
7.5 A，600 V，RDS（开启）=1.2Ω（最大）VGS=10 V，ID=3.75 A
低栅极电荷（28nC型）
低铬（12pF型）
100%雪崩测试
漏源极电压(Vds)：600 V
上升时间：60.5 ns
输入电容(Ciss)：965pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：48 W
下降时间：4.5 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：48000 mW
引脚数：3
封装：TO-220-3
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
含铅标准：Lead Free
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