这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
7.5 A,600 V,RDS(开启)=1.2Ω(最大)VGS=10 V,ID=3.75 A
低栅极电荷(28nC型)
低铬(12pF型)
100%雪崩测试
漏源极电压(Vds):600 V
上升时间:60.5 ns
输入电容(Ciss):965pF 25V(Vds)
额定功率(Max):48 W
下降时间:4.5 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):48000 mW
引脚数:3
封装:TO-220-3
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
含铅标准:Lead Free
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