这种P沟道MOSFET是FairchildSemiconductor先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。它已针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V–20V）的电源管理应用进行了优化。
针脚数：8
漏源极电阻：0.022Ω
耗散功率：1.2 W
漏源极电压(Vds)：40 V
上升时间：11 ns
输入电容(Ciss)：1872pF 20V(Vds)
额定功率(Max)：1.2 W
下降时间：18 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：2500 mW
安装方式：Surface Mount
引脚数：8
封装：SOIC-8
长度：5 mm
宽度：4 mm
高度：1.5 mm
封装：SOIC-8
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
制造应用：电源管理,工业
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