这种P沟道MOSFET是FairchildSemiconductor先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。它已针对需要宽范围栅极驱动电压额定值(4.5V–20V)的电源管理应用进行了优化。
针脚数:8
漏源极电阻:0.022Ω
耗散功率:1.2 W
漏源极电压(Vds):40 V
上升时间:11 ns
输入电容(Ciss):1872pF 20V(Vds)
额定功率(Max):1.2 W
下降时间:18 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):2500 mW
安装方式:Surface Mount
引脚数:8
封装:SOIC-8
长度:5 mm
宽度:4 mm
高度:1.5 mm
封装:SOIC-8
产品生命周期:Active
包装方式:Tape&Reel(TR)
制造应用:电源管理,工业
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