这种N沟道增强型功率MOSFET是使用飞兆半导体专有的平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术经过特别定制,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
针脚数:3
漏源极电阻:0.074Ω
耗散功率:2.5 W
阈值电压:2 V
漏源极电压(Vds):100 V
上升时间:410 ns
输入电容(Ciss):670pF 25V(Vds)
额定功率(Max):2.5 W
下降时间:140 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):2.5 W
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:TO-252-3
长度:6.6 mm
宽度:6.1 mm
高度:2.3 mm
封装:TO-252-3
产品生命周期:Active
包装方式:ape&Reel(TR)
制造应用:音频,电机驱动与控制,电源管理
维库电子通,电子知识,一查百通!
已收录词条48011个