这种N沟道增强型功率MOSFET是使用飞兆半导体专有的平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术经过特别定制，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
针脚数：3
漏源极电阻：0.074Ω
耗散功率：2.5 W
阈值电压：2 V
漏源极电压(Vds)：100 V
上升时间：410 ns
输入电容(Ciss)：670pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：2.5 W
下降时间：140 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：2.5 W
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：TO-252-3
长度：6.6 mm
宽度：6.1 mm
高度：2.3 mm
封装：TO-252-3
产品生命周期：Active
包装方式：ape&Reel(TR)
制造应用：音频,电机驱动与控制,电源管理
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