FDD5612是一款60V N沟道PowerTrench?MOSFET,经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,并保持低栅极电荷,以获得卓越的开关性能。Fairchild的最新中压功率MOSFET是优化的功率开关,结合了小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。它采用屏蔽栅极结构,提供电荷平衡。通过利用这项先进技术,这些器件的FOM(品质因数(QGxRDS(ON)))比上一代低66%。新型PowerTrench?MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代更高额定电压的MOSFET所需电路,因为它可以最大限度地减少同步整流中不希望的电压尖峰。该产品具有通用性,适用于许多不同的应用。
针脚数:3
漏源极电阻:0.036Ω
耗散功率:42 W
阈值电压:2.4 V
漏源极电压(Vds):60 V
上升时间:4 ns
输入电容(Ciss):660pF 30V(Vds)
额定功率(Max):1.6 W
下降时间:4 ns
工作温度(Max):175℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):42000 mW
引脚数:3
封装:TO-252-3
产品生命周期:Active
包装方式:Tape&Reel(TR)
制造应用:工业,电源管理
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