FDD5612是一款60V N沟道PowerTrench?MOSFET，经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，并保持低栅极电荷，以获得卓越的开关性能。Fairchild的最新中压功率MOSFET是优化的功率开关，结合了小栅极电荷（QG）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。它采用屏蔽栅极结构，提供电荷平衡。通过利用这项先进技术，这些器件的FOM（品质因数（QGxRDS（ON）））比上一代低66%。新型PowerTrench?MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代更高额定电压的MOSFET所需电路，因为它可以最大限度地减少同步整流中不希望的电压尖峰。该产品具有通用性，适用于许多不同的应用。
针脚数：3
漏源极电阻：0.036Ω
耗散功率：42 W
阈值电压：2.4 V
漏源极电压(Vds)：60 V
上升时间：4 ns
输入电容(Ciss)：660pF 30V(Vds)
额定功率(Max)：1.6 W
下降时间：4 ns
工作温度(Max)：175℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：42000 mW
引脚数：3
封装：TO-252-3
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
制造应用：工业,电源管理
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