SO-8 N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺是专门为提供卓越的开关性能和最小化导通电阻而定制的。这些设备特别适用于低电压应用，如磁盘驱动器电机控制、电池供电电路，需要快速切换、低在线功耗和瞬态电阻。
针脚数：8
漏源极电阻：0.1Ω
耗散功率：2 W
阈值电压：.7 V
输入电容：45 pF
漏源极电压(Vds)：60 V
上升时间：7.5 ns
输入电容(Ciss)：345pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：900 mW
下降时间：7 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：2 W
安装方式：Surface Mount
引脚数：8
封装：SOIC-8
长度：4.9 mm
宽度：3.9 mm
高度：1.57 mm
封装：SOIC-8
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
制造应用：工业,电源管理
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