这些器件是使用SuperMESH?5技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的雪崩坚固型高压功率MOSFET技术基于创新的专有垂直结构。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷急剧降低。
DPAK 950 V全球最佳RDS(开启)
全球最佳FOM(品质因数)
超低栅极电荷
100%雪崩测试
齐纳保护
切换应用程序
针脚数:3
漏源极电阻:1Ω
极性:N-CH
耗散功率:25 W
阈值电压:4 V
漏源极电压(Vds):950 V
连续漏极电流(Ids):9A
上升时间:12 ns
输入电容(Ciss):450pF 100V(Vds)
额定功率(Max):25 W
下降时间:1 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):25W(Tc)
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.4 mm
封装:TO-220-3
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
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