这些器件利用了意法半导体专有STripFET?技术的第七代设计规则,并采用了新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(导通)。
针脚数:3
漏源极电阻:0.0068Ω
极性:N-Channel
耗散功率:150 W
阈值电压:4.5 V
输入电容:4369 pF
漏源极电压(Vds):100 V
上升时间:40 ns
输入电容(Ciss):4369pF 50V(Vds)
额定功率(Max):150 W
下降时间:15 ns
工作温度(Max):175℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):150W(Tc)
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
制造应用:医用
长度:10.4 mm
封装:TO-220-3
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