这些器件利用了意法半导体专有STripFET?技术的第七代设计规则，并采用了新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS（导通）。
针脚数：3
漏源极电阻：0.0068Ω
极性：N-Channel
耗散功率：150 W
阈值电压：4.5 V
输入电容：4369 pF
漏源极电压(Vds)：100 V
上升时间：40 ns
输入电容(Ciss)：4369pF 50V(Vds)
额定功率(Max)：150 W
下降时间：15 ns
工作温度(Max)：175℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：150W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：医用
长度：10.4 mm
封装：TO-220-3
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