SuperMESH?系列是通过对ST成熟的条形PowerMESH?布局进行极端优化而获得的。除了显著降低电阻外，还特别注意确保在要求最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET，包括革命性的MDmesh?产品。
极高的dv/dt能力
100%雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
非常好的制造重复性
针脚数：3
漏源极电阻：1.5Ω
极性：N-Channel
耗散功率：30 W
阈值电压：3.75 V
漏源极电压(Vds)：800 V
漏源击穿电压：00 V
栅源击穿电压：30.0 V
连续漏极电流(Ids)：6.20 A
上升时间：0 ns
输入电容(Ciss)：320pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：30 W
下降时间：28 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：30W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.4 mm
宽度：4.6 mm
高度：16.4 mm
封装：TO-220-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
REACH SVHC标准：No SVHC
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：Industrial,Power Management,工业,Power Ma
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