SuperMESH?系列是通过对ST成熟的条形PowerMESH?布局进行极端优化而获得的。除了显著降低电阻外,还特别注意确保在要求最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET,包括革命性的MDmesh?产品。
极高的dv/dt能力
100%雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
非常好的制造重复性
针脚数:3
漏源极电阻:1.5Ω
极性:N-Channel
耗散功率:30 W
阈值电压:3.75 V
漏源极电压(Vds):800 V
漏源击穿电压:00 V
栅源击穿电压:30.0 V
连续漏极电流(Ids):6.20 A
上升时间:0 ns
输入电容(Ciss):320pF 25V(Vds)
额定功率(Max):30 W
下降时间:28 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):30W(Tc)
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.4 mm
宽度:4.6 mm
高度:16.4 mm
封装:TO-220-3
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
REACH SVHC标准:No SVHC
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
制造应用:Industrial,Power Management,工业,Power Ma
维库电子通,电子知识,一查百通!
已收录词条48005个