极高的dv/dt能力
　　100%雪崩测试
　　栅极电荷最小化
　　非常低的固有电容
　　非常好的制造重复性

额定电压(DC)：800 V
　　额定电流：3.00 A
　　针脚数：3
　　漏源极电阻：3Ω
　　极性：N-Channel
　　耗散功率：80 W
　　阈值电压：3.75 V
　　漏源极电压(Vds)：800 V
　　漏源击穿电压：800 V
　　栅源击穿电压：±30.0 V
　　连续漏极电流(Ids)：1.50 A
　　上升时间：12 ns
　　正向电压(Max)：1.6 V
　　输入电容(Ciss)：575pF 25V(Vds)
　　额定功率(Max)：80 W
　　下降时间：32 ns
　　工作温度(Max)：150℃
　　工作温度(Min)：-55℃
　　耗散功率(Max)：80W(Tc)

安装方式：Surface Mount
　　引脚数：3
　　封装：TO-252-3

长度：6.6 mm
　　宽度：6.2 mm
　　高度：2.4 mm
　　封装：TO-252-3

RoHS标准：RoHS Compliant
　　含铅标准：Lead Free
　　REACH SVHC标准：No SVHC

产品生命周期：Not Recommended for New Designs
　　包装方式：Tape&Reel(TR)
　　制造应用：电源管理,工业