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VNP10N06-E
阅读:195时间:2024-08-16 13:53:16

VNP10N06是采用意法半导体VIPower技术制造的单片器件,旨在取代直流至50 KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过电压钳保护芯片的恶劣环境。

特性说明

线性电流限制
  热关断
  短路保护
  集成夹具
  从输入引脚汲取的低电流
  逻辑电平输入阈值
  ESD保护
  输入时施密特触发器
  高抗噪性
  标准-220包装

技术参数

输出接口数:1
  输出电流:15 A
  供电电流:0.15 mA
  针脚数:3
  漏源极电阻:300 mΩ
  极性:N-Channel
  耗散功率:42000 mW
  漏源击穿电压:60.0 V
  栅源击穿电压:±20.0 V
  连续漏极电流(Ids):10.0 A
  输出电流(Max):6 A
  输出电流(Min):6 A
  输入数:1
  耗散功率(Max):42000 mW

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他说明

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube

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