所谓迅盘，就是Intel提出的Turbo Memory，俗称硬盘加速卡、Robson卡或flash cache

　　module，是英特尔在迅驰技术的传统三大件处理器、芯片组和无线网卡之后，又附加的一个配件。

　　迅盘实际上就是一个NAND Flash模块，其外型是在一片长方形的电路板，有一颗控制芯片跟数个NAND颗粒。Turbo Memory迅盘模块可安装在笔记本主机的MiniCard插槽上，跟无线网卡的接口相同，也同样是通过PCI-E接口连接南桥芯片。

　　大致上，Turbo Memory迅盘到目前为止一共推出两代产品，核心代号称为Robson。代是迅驰Santa Rosa平台新增的一项选配组件， 容量有512MB和1GB两种规格，第二代大致与迅驰2

　　Montevina平台同期推出，有2GB和4GB两种规格。

　　Turbo Memory迅盘的原理很简单，利用闪存来代替硬盘储存启动操作系统所需的文件，再利用其存取速度高于硬盘的优势，让开机速度加快，并在应用程序执行时作为CPU与内存间的缓存区，达到加快存取速度的目的。而且闪存不像物理内存那样需随时供电，也不像硬盘那样需要供应高转速马达的电力，所以整体平台也较为省电。

　　介绍迅盘的存储介质--NAND高速闪存模块。提到高速闪存模块，就要从闪存模块的种类谈起。

　　·闪存的种类：NOR与NAND

　　一般高速闪存模块分为两种规格，NOR Flash和NAND Flash，它们均为非易失性闪存模块。NOR又称Code Flash，有些类似于DRAM。它以存储程序代码为主，所以可以让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为512MB。而NAND闪存则更像硬盘，它以存储数据为主，故又称Data Flash。它的特点是晶片容量大，目前主流容量分为512MB、1GB、2GB等。二者的区别在于读写速度，NAND闪存写入与清除资料的速度远快于NOR，但是NOR闪存在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND多应用在小型机，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中，如手机。

　　Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。随后，1989年，东芝 公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。在近20年的时间里，这两种类型的闪存技术被广泛应用到手机市场、数码相机市场以及移动存储市场。

　　如今，随着科学技术的不断扩大，NOR和NAND闪存也得到了进一步提升。新版的NOR闪存接口将使用133MHz甚至更高的频率，而且它将被用于3G以及UMTS手机。而NAND由于写入速度较快，加上功耗低开始逐渐被用于PC。至此，闪存技术解决方案开始衍变为一个不断变化的多应用需要，日益多元化的需求的更有效解决办法。当然，由于本文主要讲述NAND，因此，被用于移动通信平台的NOR在此就不做过多介绍了。

　　1.缩短开机时间。将部份开机文件放在迅盘上，直接加速存取，以缩短系统启动的等待时间(官方数据：加快20%)。

　　2.提高应用程序反应速度。以Turbo Memory迅盘取代硬盘作为应用程序的数据缓存区，可加快存取速度。

　　3.加速应用程序启动。处理器可快速取得开启应用程序的所需数据，可缩短延迟时间、减少等待(官方数据：加快约一倍)。

　　4.增强Windows Vista性能。Turbo Memory迅盘可支持Windows Vista操作系统的三种加速功能，包括Ready Boost、Ready Drive和Superfetch，可望改善Windows Vista为人诟病的问题。

　　5.节约电力。预先将数据储存在Turbo Memory迅盘上，以减少需要硬盘转动的时间，可省下花费的电力。

　　1.Intel CPU ＋Intel GM965 、PM965或者PM45等芯片组，不支持AMD CPU。

　　2.SATA硬盘必须设置为AHCI模式。否则在操作系统中的“Intel Turbo Memory迅盘”控制台将不能打开。

　　3.Intel Turbo Memory迅盘 1.0不支持RAID技术，需要禁用RAID。

　　4.BIOS要支持Turbo Memory迅盘。一般来说主板芯片组符合要求的情况下BIOS都可以提供支持。

　　5.必须是Windows Vista 操作系统。

　　6.主板必须提供一个MiniPCI的插槽。要在FCM或者WWAN槽中必须安装此卡，不能插入WLan槽。

　　7.必须安装对应驱动程序（Intel Turbo Memory迅盘），在Intel Turbo Memory迅盘控制界面必须正确配置ReadyDrive or ReadyBoost。

　　8.不能同时使用固态硬盘SSD。