FDMC4435BZ是一款采用飞兆半导体先进的PowerTrench?工艺生产的P沟道MOSFET。它经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻。它非常适合便携式电池组中常见的负载切换应用。
VGS=-10 V，ID=-8.5 A时，最大rDS（on）=20 mΩ
VGS=-4.5 V，ID=-6.3 A时，最大rDS（on）=37 mΩ
适用于电池应用的扩展VGSS范围（-25 V）
用于极低rDS（on）的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力
HBM ESD保护等级典型值>7 kV（注4）
100%UIL测试
端子无铅，符合RoHS标准
针脚数：8
漏源极电阻：0.015Ω
耗散功率：31 W
阈值电压：1.9 V
漏源极电压(Vds)：30 V
上升时间：6 ns
输入电容(Ciss)：1540pF 15V(Vds)
额定功率(Max)：2.3 W
下降时间：20 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：2300 mW
材质：Silicon
工作温度：-55℃~150℃
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
制造应用：Power Management,Portable Devices
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