这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关DC/DC转换器、开关电源、用于不间断电源和电机控制的DC-AC转换器。
18A,200V,RDS(开启)=180m?VGS=5V
低栅极电荷(40 nC型)
低铬(典型值95pF)
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt容量GSD
逻辑电平门驱动
针脚数:3
漏源极电阻:0.18Ω
耗散功率:110 W
阈值电压:2 V
漏源极电压(Vds):200 V
上升时间:8 ns
输入电容(Ciss):1310pF 25V(Vds)
额定功率(Max):110 W
下降时间:15 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):110 W
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.67 mm
宽度:4.7 mm
高度:16.3 mm
封装:TO-220-3
产品生命周期:Active
包装方式:Rail,Tube
制造应用:电源管理,电机驱动与控制
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