这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关DC/DC转换器、开关电源、用于不间断电源和电机控制的DC-AC转换器。
18A，200V，RDS（开启）=180m?VGS=5V
低栅极电荷（40 nC型）
低铬（典型值95pF）
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt容量GSD
逻辑电平门驱动
针脚数：3
漏源极电阻：0.18Ω
耗散功率：110 W
阈值电压：2 V
漏源极电压(Vds)：200 V
上升时间：8 ns
输入电容(Ciss)：1310pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：110 W
下降时间：15 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：110 W
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.67 mm
宽度：4.7 mm
高度：16.3 mm
封装：TO-220-3
产品生命周期：Active
包装方式：Rail,Tube
制造应用：电源管理,电机驱动与控制
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