FDP75N08A MOSFET被定制为降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
75A，75V，RDS（开启）=11 m?VGS=10 V
低栅极电荷（典型145nC）
低铬（86pF型）
改进的dv/dt能力
耗散功率：137 W
漏源极电压(Vds)：75 V
上升时间：212 ns
输入电容(Ciss)：3437pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：137 W
下降时间：147 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：137000 mW
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.67 mm
宽度：4.83 mm
高度：9.4 mm
封装：TO-220-3
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
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