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TPS7H6025-SEP
阅读:121时间:2024-07-24 13:55:40

耐辐射、22V 半桥 GaN 栅极驱动器

应用

空间卫星电源
  电机驱动器
  反作用轮
  通信有效载荷
  光学成像有效载荷
  卫星电力系统

参数

自举电源电压(最大)(V):22
  电源开关:GaNFET
  输入电源电压(最小)(V):10
  输入电源电压(最大)(V):16
  峰值输出电流(A):1.3
  工作温度范围:-55至125℃
  欠压锁定(典型)(V):8
  评级:空间
  传播延迟时间(?s):0.035
  上升时间(ns):0.4
  下降时间(ns):4
  Iq(mA):0.5
  输入阈值:TTL
  通道输入逻辑:TTL/PWM
  特点:死区时间控制、联锁、内部LDO
  驱动程序配置:半桥

特性

- 辐射性能:
  总电离剂量(TID)为100krad(Si)的辐射硬度保证(RHA)
  不受线性能量转移(LET)影响的单事件瞬态(SET)、单事件烧毁(SEB)和单事件闸门破裂(SEGR)=75MeV-cm2/mg
  单事件瞬态(SET)和单事件功能中断(SEFI)的特征高达LET=75MeV-cm2/mg
  - 1.3A峰值源电流,2.5A峰值吸收电流
  - 两种操作模式:
  单PWM输入,死区时间可调
  两个独立的输入
  - 独立输入模式下的可选输入联锁保护
  - 分体式输出,可调节开启和关闭时间
  - 独立输入模式下30ns的典型传播延迟
  - 5.5ns典型延迟匹配
  - 塑料包装按照ASTM E595进行脱气测试
  - 适用于军用温度范围(-55°C至125°C)

说明

TPS7H60x5系列辐射硬度保证(RHA)氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)栅极驱动器专为高频、高效和高电流应用而设计。该系列包括TPS7H6005(额定电压200V)、TPS7H6015(额定电流60V)和TPS7H6025(额定功率22V)。这些设备中的每一个都有一个56针的HTSSOP塑料封装,有QMLP和空间增强塑料(SEP)两种等级。驱动器具有可调节的死区时间能力、30ns的小传播延迟和5.5ns的高侧和低侧匹配。这些部件还包括内部高侧和低侧LDO,无论电源电压如何,都能确保5V的驱动电压。TPS7H60x5驱动器都具有分体式栅极输出,提供了独立调整输出开启和关闭强度的灵活性。
  TPS7H60x5驱动器具有两种控制输入模式:独立输入模式(IIM)和PWM模式。在IIM中,每个输出都由专用输入控制。在PWM模式下,从单个输入产生两个互补的输出信号,用户可以调整每个边缘的死区时间。
  栅极驱动器还在独立输入模式下提供用户可配置的输入联锁,作为防击穿保护。当两个输入同时打开时,输入联锁不允许打开两个输出。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护,这允许在多种不同的转换器配置中使用驱动器。驱动器也可用于半桥和双低压侧转换器应用。

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