不同的国家和地区的对频率的分配和发射功率的规定是不 同的。在某些地区，某些频段的RFID 产品可能是被禁止使用的。其中13.56MHz的RFID国际标准有ISO14443和ISO15693两种。

　　ISO14443又分为Type A 和 Type B两中。其中Type A 以飞利浦的Mifare one 为代表, Type B有代表性的是目前我国正 在发行的*。ISO14443是近耦合通讯协议，通讯距离小于10cm. ISO15693是疏耦合通讯协议，通讯距离可以达到1.5m.

　　在ISO15693协议中，为了从阅读器到疏耦合IC卡的数据传输，不仅使用了10%的ASK调制，而且还使用了100%的ASK.此外，有两种不同的编码方法：一是“256中取1”，另一种是“4中取1”。

　　这部分电路通过Cadence spectre 仿真环境进行了仿真，并通过SMIC CMOS 0.18um one play four metal工艺流片验证。

　　由于读卡机发出的磁场强度跟与读卡机的远近距离有关，在离读卡机距离近的地方磁场强度 大，离读卡机距离远的地方磁场强度少，当RFID 标签芯片离读卡机距离很近时，由于磁场 强度很大，RFID 标签芯片天线两端耦合过来的电压值很高，如果不进行高压保护的话，会 对RFID 标签芯片内部电路造成损坏，所以高压保护电路必不可少。读卡机和RFID 标签之间 的通讯是采用半双工的模式,读卡机发出的指令通过ASK 调制叠加到载波上发送给 RFID 标签 芯片，RFID 标签芯片通过自己内部的解调电路把指令解调出来送到数字逻辑控制电路进行译码，然后处理相应的指令。RFID 标签芯片的数据的返回通过自己内部的调制电路把数据叠加到读卡器发出的载波上发送给读卡机，读卡机通过自己内波的解调电路把数据解调出来。这样读卡器和 RFID 标签完成互相通信。

　　两个反相器电路组成了锁存器电路.信号相位相反的 13.56MHz 的正弦信号通过天线端coil1 和coil2 加到 NMOS 管M7 和M8 上,当coil1 为高电 平信号时, coil2 就为低电平信号,这时NMOS 管M7 导通,M8 截止. 当 coil1 为低电平 时,coil2 就变为高电平,这是NMOS 晶体管M7 截止,M8 导通. 通过这种交替控制,时钟产生电路产生了 13.56MHz 的方波时钟信号。

　　在RFID 标签芯片中，需要有一个较大的电容储存足够的电荷供标签在输入能量较弱的时候当作电源来使用。如果输入电压过高，电源电压升高到一定程度，稳压电路中泻流电路就要起作用，把电容上多余的电荷释放掉，以达到稳压的目的。稳压电路采用5 个PNP 三极管，这种稳压电路做到了采用最少的器件达到稳压的效果。 由于PNP 的Vbe 电压在0.7v 左右，所以5 个三极管的稳压在3.5v 左右。当电压超过 3.5v 后，电流会功过PNP 的发射极到集电极的通路把电荷释放掉。很好的起到限压的效果。