PMBS3904晶体管由三个区域组成：发射区、基区和集电区。发射区由P型半导体材料制成，基区和集电区由N型半导体材料制成。当基极加上正向电压时，它将提供足够的电子，使得发射区的电子被注入，从而形成电流。电流通过基区，进入集电区，形成放大或开关。

1、集电极-基极最大电压VCEO：40V
　　2、集电极-发射极最大电压VCBO：60V
　　3、基极-发射极最大电压VEBO：6V
　　4、最大连续集电电流IC：200mA
　　5、最大峰值脉冲集电电流ICM：600mA
　　6、最大功耗PD：625mW
　　7、最高工作温度Tjmax：150℃
　　8、封装形式：SOT-23

1、高频放大和开关功能：PMBS3904晶体管具有放大和开关功能，适用于高频放大和开关应用。
　　2、小尺寸：PMBS3904晶体管体积小，适用于高集成度电路设计。
　　3、高增益：PMBS3904晶体管具有高增益特性，可以将输入信号放大到较大的幅度。
　　4、低噪声：PMBS3904晶体管具有低噪声特性，适用于需要高精度放大的应用。
　　5、高频特性：PMBS3904晶体管工作频率高，适用于高频应用。

PMBS3904是一种双极型晶体管，由三个区域组成：发射区、基区和集电区。当基极加上正向电压时，它将提供足够的电子，使得发射区的电子被注入，从而形成电流。电流通过基区，进入集电区，形成放大或开关。

PMBS3904主要用于高频放大和开关应用中。比如，它可以用于射频放大器、振荡器、调制器、混频器等电路中。此外，它还可以用于数字电路中的开关和放大器。