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2N7002
阅读:217时间:2024-07-17 14:15:42

2N7002是一种N沟道MOS场效应晶体管,具有低电阻、低电压和高电流的特性。它是一种通用型的晶体管,被广泛应用于各种电路中。

主要参数

Drain-Source电阻(RDS(on)):2N7002的Drain-Source电阻很低,通常在0.7欧姆以下。
  额定电压(VDS):额定电压为60V,可以在这个电压范围内工作。
  最大电流(ID):最大电流为200mA,可以满足大多数低功率电路的需求。
  阈值电压(VGS(th)):阈值电压为2.5V,也就是说当Gate-Source电压大于2.5V时,晶体管才开始导通。
  动态电阻(rDS(on)):动态电阻很小,通常在0.5欧姆以下。这意味着它可以快速地开关,适用于高频电路。

结构

它是一种表面贴装型(SMD)晶体管,采用TO-236封装。它的尺寸为3.05mm x 1.4mm x 0.95mm,重量为0.019g。

性能

低电阻:2N7002的Drain-Source电阻很小,可以提供低电压降和高电流输出。
  高电流:2N7002的最大电流为200mA,可以满足大多数低功率电路的需求。
  高速开关:2N7002的动态电阻很小,可以快速地开关,适用于高频电路。
  低电压:2N7002的阈值电压为2.5V,可以在低电压下工作。
  低功耗:2N7002的低电阻和低电压意味着它可以在低功耗电路中使用。

原理

2N7002是一种N沟道MOS场效应晶体管,它的工作原理基于场效应。
  2N7002由三个区域组成:源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。栅极与源极之间有一层绝缘层,称为栅介质(Gate Oxide)。
  当Gate-Source电压小于阈值电压时,晶体管处于截止状态,Drain-Source之间没有电流流过。当Gate-Source电压大于阈值电压时,栅介质中的电荷会被引入栅极,形成一个电场,使得漏极和源极之间形成一个导电通道,电流开始从Drain流向Source。当Gate-Source电压继续增加时,通道的电阻会减小,电流也会增加。

应用

逻辑开关:可用作数字逻辑门的开关,例如单稳态触发器、计数器等。
  电源开关:可用作电源开关,例如用于智能家居中的灯光控制。
  驱动器:可用作低功率电机驱动器,例如用于电动玩具中的马达驱动。
  放大器:可用作低功率信号放大器,例如用于音频放大器中的前置放大器。

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