1、最大反向电压：75V
　　2、最大平均整流电流：200mA
　　3、最大脉冲峰值电流：500mA
　　4、最大功耗：150mW
　　5、最大工作温度：150℃
　　6、封装形式：SOT-23-3

1、高速开关特性：MMBD914LT1G可以在纳秒级别内进行开关操作，非常适合于需要高速开关的电路设计。
　　2、小体积封装：由于其采用了SOT-23-3封装形式，因此体积非常小，可以节省电路板的空间。
　　3、低导通压降：其导通压降只有0.715V，因此可以减少电路中的能量损耗。
　　4、反向漏电流低：MMBD914LT1G的反向漏电流只有几个pA的级别，因此非常适合于需要高精度的电路设计。
　　5、高可靠性：由于其采用了ON Semiconductor公司的制造工艺，因此具有很高的可靠性和稳定性。

MMBD914LT1G是一种PN结二极管，其工作原理与一般的二极管相同。具体地说，当正向偏置时，P区的空穴和N区的电子会进行复合，形成电流；当反向偏置时，P区和N区的电荷会被电场分离，形成反向漏电流。由于其封装形式非常小巧，因此可以在高速电路中用作快速开关元件。

由于其高速开关特性和小巧的封装形式，MMBD914LT1G适用于许多应用场景，例如：
　　1、用作高速开关元件：MMBD914LT1G可以在纳秒级别内进行开关操作，非常适合于需要高速开关的电路设计。
　　2、用作反向保护元件：由于其反向漏电流低，因此可以用作反向保护电路中的元件。
　　3、用作信号整形器：由于其导通压降低，因此可以用作信号整形器，将信号进行整形和放大。

1、首先要进行良好的静电防护措施，避免将二极管损坏。
　　2、在焊接过程中，应注意温度和时间，以防止焊点过热或过冷。
　　3、在连接线路时，应正确连接极性，避免连接错误。
　　4、在选用电源电压时，应注意不要超过二极管的最大反向电压。