1、最大额定电流：1A
　　2、最大额定反向电压：100V
　　3、封装类型：SMB
　　4、正向电压降：典型值为0.49V (1A)
　　5、反向电流：典型值为1.5uA (25°C)

MBRS1100T3G采用了Schottky结构，其主要由金属-半导体接触组成。Schottky结构由金属（通常是铝或铬）和半导体（通常是硅）之间的PN结构组成。与普通的PN结二极管相比，Schottky结二极管具有更低的正向压降和更快的开关速度。

MBRS1100T3G的工作原理基于Schottky结构。当正向电压施加在二极管的金属-半导体接触上时，金属的载流子与半导体的载流子发生扩散，形成一个导电通道。由于Schottky结的载流子注入效应，这种导电通道的电阻非常低，几乎没有固有的电阻。因此，MBRS1100T3G可以实现较低的正向压降。

1、高效率：MBRS1100T3G采用了Schottky结构，具有较低的正向压降和快速开关速度，可以实现较高的效率。
　　2、高可靠性：MBRS1100T3G具有较低的反向电流漏失和较长的寿命，可以在各种环境条件下稳定工作。
　　3、小封装尺寸：MBRS1100T3G采用SMB封装，适用于空间受限的应用。

使用MBRS1100T3G进行电路设计和布局时，可以按照以下步骤进行：
　　1、确定电路的工作电压和电流要求。
　　2、根据电路的需求选择合适的封装类型和尺寸。
　　3、根据MBRS1100T3G的参数和指标计算正向压降和电流损耗。
　　4、根据电路的布局和连接要求，将MBRS1100T3G正确安装在PCB上。
　　5、进行电路的仿真和测试，确保MBRS1100T3G的性能和可靠性满足设计要求。

1、在使用MBRS1100T3G时，应注意其最大额定电流和最大额定反向电压，不要超过其额定值。
　　2、在焊接和布局时，应注意避免温度过高和电磁干扰，以防止MBRS1100T3G的性能受到影响。
　　3、在使用MBRS1100T3G时，应注意防止反向电流损坏其他电子元件，可以采取适当的保护措施，如并联电容等。