STM3H730VBT6是高性能Arm?Cortex?-M7 32RISC核心，工作频率高达550MHz。Cortex?-M7核心有一个浮点单元(FPU)，支持Arm?双精度(IEEE754兼容)和单精度数据处理指令和数据类型。Cortex-M7内核包括32kbytes的指令缓存和32kbytes的数据缓存。STM32H730VBT6支持全套DSP指令和内存保护单元(MPU)，提高应用安全性。STM32H730VBT6设备包括高速嵌入式内存，12kbytesfork和AXI。
STM32H730VBT6嵌入了允许数学/算术函数加速的外围设备(用于三角函数的CORDIC协处理器和用于滤波器函数的FMAC单元)。所有设备提供三个ADC、两个DAC、两个运算放大器、两个超低功率比较器、一个低功率RTC、四个通用32位定时器和12个通用16位定时器，包括两个电机控制的PWM定时器、五个低功率定时器、一个真波器，用于外部sigma-delta调制器(DFSDM)。它们还具有标准和高级通信接口。
核心
32位ArmCortex-M7核，双精度处理器和L1缓存:16kbytes数据16 Kbytes指令缓存;频率高达480 MHz, MPU, 1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)和DSP指令
记忆
高达2兆字节的闪存，同时支持读写
最大1mb RAM: TCM 192kbyteRAM (inc. 64 Kbytes的ITCM RAM +
128千字节的DTCM RAM用于时间关键例程)，最多864 Kbytes的用户SRAM，和备份域4kbytes SRAM
双模式quadl - spi内存接口运行频率高达133 MHz
灵活的外部存储控制器，最多可达32位数据总线:SRAM, PSRAM，LPSDR SDRAM, NOR/NAND闪存内存时钟高达100兆赫兹
同步模式
CRC计算单元安全ROP, PC-ROP，主动篡改器通用输入/输出
多达168个I/O端口，具有中断能力复位和电源管理
3个独立的电源域，可以独立时钟门控或关闭:
—D1:高性能
—D2:通信外设和定时器
—D3:复位/时钟控制/电源管理
1.62 ~ 3.6 V应用电源和I/ o
POR, PDR, PVD和BOR
专用USB电源嵌入3.3 V内部调节器，提供内部物理参数嵌入式稳压器(LDO)，可配置可扩展输出，提供数字电路
运行和停止模式下的电压缩放可配置的范围)备份调节器(~0.9 V)模拟外设参考电压/VREF+
低功耗模式:休眠，停止，待机和VBAT支持电池充电
低功率消耗
带充电的VBAT电池工作模式能力
CPU和域电源状态监控引脚
2.95备用模式(Backup SRAM OFF，
RTC /伦敦政治经济学院)
时钟管理
内部振荡器:64 MHz HSI, 48 MHzHSI48, 4 MHz CSI, 32 kHz LSI
外部振荡器:4-48 MHz HSE，32.768 kHz伦敦政治经济学院
商品分类 | MCU微控制器 | 程序存储容量 | 128KB（128K x 8） |
品牌 | ST(意法半导体) | 程序存储器类型 | 闪存 |
封装 | 100-LQFP（14x14） | EEPROM容量 | - |
商品标签 | 高性能MCU | RAM大小 | 564K x 8 |
核心处理器 | ARM Cortex-M7 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
内核规格 | 32-位 | 数据转换器 | A/D 12x12/b，22x16b; D/A 2x12b |
速度 | 550MHz | 振荡器类型 | 内部 |
连接能力 | CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT | 安装类型 | 表面贴装型 |
I/O数 | 80 | 基本产品编号 | STM32 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | HTSUS | 8542.31.0001 |
ECCN | 5A992C | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32H730VBT6原理图
STM32H730VBT6引脚图
STM32H730VBT6封装
STM32H730VBT6丝印
STM32H730VBT6料号解释
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