STM3F49NIH6是基于高性能的Arm?Cortex?-M4 核心。32位RISC核心具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm令处理指数和数据类型。它还实现了完整的DSP指令和内存保护单元(MPU)，提高了应用程序的安全性。
STM32F429NIH6包括高速嵌入式存储器(最大2mbyte闪存，最大256kbytesSRAM)，最大4kbytes备份SRAM，广泛增强I/O和外围设备连接到两个APB总线，两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
STM32F429NIH6提供3个12位adc、2个dac、1个低功耗RTC、12个通用16位定时器，包括2个电机控制PWM定时器和2个通用32位定时器。它们还有标准和先进的通信界面。
内核：带有FPU的ARM?32位Cortex?-M4CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器?)、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能，具有DSP指令集。
存储器
–高达2MBFlash，组织为两个区，可读写同步
–高达256+4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM
–具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、CompactFlash/NOR/NAND存储器
LCD并行接口，兼容8080/6800模式
LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ARTAccelerator?，用于增强的图形内容创建（DMA2D）
时钟、复位和电源管理
–1.7V到3.6V供电和I/O
–POR、PDR、PVD和BOR
–4至26MHz晶振
–内置经工厂调校的16MHzRC振荡器（1%精度）
–带校准功能的32kHzRTC振荡器
–内置带校准功能的32kHzRC振荡器
低功耗
–睡眠、停机和待机模式
–VBAT可为RTC、20×32位备份寄存器+可选的4KB备份SRAM供电
3个12位、2.4MSPSADC：多达24通道，三重交叉模式下的性能高达7.2MSPS
2个12位D/A转换器
通用DMA：具有FIFO和突发支持的16路DMA控制器
多达17个定时器：12个16位定时器，和2个频率高达180MHz的32位定时器，每个定时器都带有4个输入捕获/输出比较/PWM，或脉冲计数器与正交(增量)编码器输入
调试模式
–SWD&JTAG接口
–Cortex-M4跟踪宏单元?
商品分类 | MCU微控制器 | 程序存储容量 | 2MB（2M x 8） |
品牌 | ST(意法半导体) | 程序存储器类型 | 闪存 |
封装 | 216-TFBGA（13x13） | EEPROM容量 | - |
商品标签 | 通用类MCU | RAM大小 | 256K x 8 |
核心处理器 | ARM Cortex-M4 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 3.6V |
内核规格 | 32-位 | 数据转换器 | A/D 24x12b; D/A 2x12b |
速度 | 180MHz | 振荡器类型 | 内部 |
连接能力 | CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART，USB OTG | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT | 安装类型 | 表面贴装型 |
I/O数 | 168 | 基本产品编号 | STM32F429 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 |
ECCN | 3A991A2 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
HTSUS | 8542.31.0001 |
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STM32F429NIH6原理图
STM32F429NIH6引脚图
STM32F429NIH6封装
STM32F429NIH6丝印
STM32F429NIH6料号解释
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