STM32F412VGT6TR采用高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核，工作频率高达100 MHz。他们的Cortex?-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)STM32F412VGT6TR属于STM32动态效率产品线(结合了能效、性能和集成的产品)，同时添加了一种新的创新功能，称为批处理采集模式(BAM)，从而在数据批处理过程中节省更多的功耗。
STM32F412VGT6TR包含高速嵌入式存储器(高达1兆字节的闪存，256千字节的SRAM)，以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。STM32F412VGT6TR提供一个12位ADC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。
带BAM的动态效率线(批次采集模式)
核心：Arm32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器(ART加速器) 允许0等待状态执行频率高达100MHz，存储器保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)，和DSP指令
记忆
高达1 MB的闪存
256 KB SRAM
灵活的外部静态内存控制器具有多达16位数据总线：SRAM、PSRAM、，NOR闪存
双模四路SPI接口
LCD并行接口，8080/6800模式
时钟、复位和电源管理
1.7 V至3.6 V应用电源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
4至26 MHz晶体振荡器
内部16 MHz工厂修整RC
32 kHz振荡器，用于带校准的RTC
内部32 kHz RC，带校准
功耗
运行：112μA/MHz(外围设备关闭)
停止(在停止模式下闪烁，快速唤醒时间)：50μA Typ@25°C;最大75μA@25℃
停止(在深度断电模式下闪烁，缓慢唤醒时间)：低至18μA@25℃;25°C时最大40μA
待机：2.4μA@25°C/1.7 V，无RTC;12μA@85°C@1.7伏
RTC的VBAT电源：1μA@25°C
1×12位，2.4 MSPS ADC：最多16个通道
用于∑-Δ调制器的2个数字滤波器，4个PDM接口，立体声麦克风支持
通用DMA：16流DMA
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用:PLC，逆变器，断路器
打印机和扫描仪
报警系统，视频对讲机和暖通空调
家用音响设备
手机传感器集线器
可穿戴设备
连接对象
Wifi模块
| 商品分类 | MCU微控制器 | I/O数 | 81 |
| 品牌 | ST(意法半导体) | 程序存储容量 | 1MB（1M x 8） |
| 封装 | 100-LQFP（14x14） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| 包装 | 圆盘 | RAM大小 | 256K x 8 |
| 商品标签 | 通用类MCU | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.7V ~ 3.6V |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M4 | 数据转换器 | A/D 16x12b |
| 内核规格 | 32-位 | 振荡器类型 | 内部 |
| 速度 | 100MHz | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，QSPI，SPI，UART/USART，USB OTG | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT | 基本产品编号 | STM32 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| ECCN | 3A991A2 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
| HTSUS | 8542.31.0001 |
STM32F412VGT6TR原理图
STM32F412VGT6TR引脚图
STM32F412VGT6TR封装
STM32F412VGT6TR丝印
STM32F412VGT6TR料号解释
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