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STM32G0B1VET6
阅读:101时间:2024-04-17 17:32:35

STM32G0B1VET6主流微控制器基于高性能Arm?Cortex?-M0+32位RISC内核,工作频率高达64 MHz。它们提供了高级别的集成,适用于消费者、工业和家电领域的广泛应用,并为物联网(IoT)解决方案做好了准备。

STM32G0B1VET6包括存储器保护单元(MPU)、高速嵌入式存储器(144 KB SRAM和512 KB闪存程序存储器,具有读保护、写保护、专有代码保护和安全区域)、DMA、广泛的系统功能、增强的I/O和外围设备。

STM32G0B1VET6提供标准通信接口(三个I2C、三个SPI/两个I2S、一个HDMI CEC、一个全速USB、两个FD CAN和六个USART)、一个12位ADC(2.5MSps)(最多19个通道)、一台12位DAC(两个通道),三个快速比较器、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、一个高级控制PWM定时器(运行频率为CPU频率的两倍),六个通用16位定时器,其中一个运行频率为CPU频率的两倍,一个32位通用定时器,两个基本定时器,两两个低功耗16位定时器、两个看门狗定时器和一个SysTick定时器。

基础介绍

  厂商型号:STM32G0B1VET6

  品牌名称:ST(意法半导体)

  元件类别:MCU

  封装规格:100-LQFP(14x14)

特点

  核心:Arm?32Cortex?-M0+CPU,频率高达64 MHz

  -40°C85°C/105°C/125°C工作温度

  记忆

  高达512 KB的闪存

  保护和安全区域,两组,读写支持

  –144 KB SRAM(128 KB,带硬件奇偶校验)

  CRC计算单元

  复位和电源管理

  电压范围:1.7 V3.6 V

  单独的I/O电源引脚(1.6 V3.6 V)

  通电/断电复位(POR/PDR)

  可编程断电复位(BOR)

  可编程电压检测器(PVD)

  低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机

  –RTC和备份寄存器的VBAT电源

  时钟管理

  –448 MHz晶体振荡器

  –32 kHz晶体振荡器,带校准

  内部16 MHz RC,带PLL选项(±1%)

  内部32 kHz RC振荡器(±5%)

  多达94个快速I/O

  所有可映射到外部中断向量

  多个5 V耐受I/O

  具有灵活映射的12通道DMA控制器

  120.4μs ADC(最多16个外部通道)

  最多16位,带硬件过采样

  转换范围:03.6V

  两个12DAC,低功耗采样和保持

  三个快速低功耗模拟比较器,具有可编程输入和输出,轨对轨

  15个定时器(支持两个128 MHz)16

  高级电机控制,一个32位和六个16-

  位通用,两个基本16位,两个低功耗16位,两只看门狗,SysTick计时器

  日历RTC,带报警和定期从停止/待机/关机唤醒

  核心:Arm?32Cortex?-M0+CPU,频率高达64 MHz

  -40°C85°C/105°C/125°C工作温度

  记忆

  高达512 KB的闪存

  保护和安全区域,两组,读写支持

  –144 KB SRAM(128 KB,带硬件奇偶校验)

  CRC计算单元

  复位和电源管理

  电压范围:1.7 V3.6 V

  单独的I/O电源引脚(1.6 V3.6 V)

  通电/断电复位(POR/PDR)

  可编程断电复位(BOR)

  可编程电压检测器(PVD)

  低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机

  –RTC和备份寄存器的VBAT电源

  时钟管理

  –448 MHz晶体振荡器

  –32 kHz晶体振荡器,带校准

  内部16 MHz RC,带PLL选项(±1%)

  内部32 kHz RC振荡器(±5%)

  多达94个快速I/O

  所有可映射到外部中断向量

  多个5 V耐受I/O

  具有灵活映射的12通道DMA控制器

  120.4μs ADC(最多16个外部通道)

  最多16位,带硬件过采样

  转换范围:03.6V

  两个12DAC,低功耗采样和保持

  三个快速低功耗模拟比较器,具有可编程输入和输出,轨对轨

  15个定时器(支持两个128 MHz)16

  高级电机控制,一个32位和六个16-

  位通用,两个基本16位,两个低功耗16位,两只看门狗,SysTick计时器

  日历RTC,带报警和定期从停止/待机/关机唤醒

中文参数

商品分类MCU微控制器品牌ST(意法半导体)
封装100-LQFP(14x14)包装托盘
核心处理器ARM Cortex-M0+内核规格32-位
速度64MHz连接能力CANbus,I2C,SPI,UART/USART
外设欠压检测/复位,DMA,I2S,POR,PWM,WDTI/O数94
程序存储容量512KB(512K x 8)程序存储器类型闪存
EEPROM容量-RAM大小144K x 8
电压-供电(Vcc/Vdd)1.7V ~ 3.6V数据转换器A/D 19x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型外部,内部工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型HTSUS8542.31.0001
产品应用高性能MCU

环境与出口分类

湿气敏感性等级(MSL)3(168 小时)ECCN3A991A2
REACH状态非 REACH 产品

原理图

STM32G0B1VET6原理图STM32G0B1VET6原理图

引脚

STM32G0B1VET6原理图

STM32G0B1VET6引脚图

封装

STM32G0B1VET6封装图

STM32G0B1VET6封装

丝印

STM32G0B1VET6丝印图

STM32G0B1VET6丝印

料号解释

STM32G0B1VET6料号解释图

STM32G0B1VET6料号解释

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