STM32H7系列STM32H723VGT6采用高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC内核，工作频率高达550 MHz。Cortex?-M7内核具有浮点单元(FPU)，支持Arm?双精度(符合IEEE 754)和单精度数据处理指令和数据类型。Cortex-M7内核包括32 KB的指令缓存和32 KB的数据缓存。STM32H723VGT6支持全套DSP指令和内存保护单元(MPU)，以增强应用程序的安全性。 STM32H723VGT6包含高速嵌入式存储器，具有高达1兆字节的闪存、高达564千字节的RAM(包括可在ITCM和AXI之间共享的192千字节，外加64千字节专用ITCM，外加128千字节专用AXI、128千字节DTCM、48千字节AHB和4千字节的备份RAM)，以及广泛的增强型I/O和连接到APB总线的外围设备，AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。为了提高应用程序的鲁棒性，所有存储器都具有纠错功能(一次纠错，两次错误检测)。 STM32H723VGT6嵌入了允许数学/算术函数加速的外围设备(用于三角函数的CORDIC协处理器和用于滤波函数的FMAC单元)。设备均提供三个ADC、两个DAC、两个运算放大器、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、4个通用32位定时器、12个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器)、五个低功耗定时器、一个真随机数发生器(RNG)。STM32H723VGT6该设备支持用于外部∑-Δ调制器(DFSDM)的四个数字滤波器。它们还具有标准和高级通信接口。
32位ArmCortex-M7 CPU，带DP-FPU，L1
缓存：32 KB数据缓存和32 KB
指令缓存允许0等待状态
从嵌入式闪存和
外部存储器，频率高达550MHz，
微处理器，1177 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz
(Dhrystone 2.1)和DSP指令存储器
高达1 Mbyte的嵌入式闪存，带ECC
SRAM：总共564 KB，全部带有ECC，包括
用于关键实时数据的128 KB数据TCM RAM+432 KB系统RAM(最多
256 KB可重新映射到指令TCM
关键实时指令的RAM)+4 KB的备份SRAM(在最低功耗模式下可用)
灵活的外部存储控制器，最多支持
16位数据总线：SRAM、PSRAM、，
SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器
2 x Octo SPI接口，带XiP
2 x SD/SDIO/MMC接口
引导程序
图样
Chrom ART Accelerator图形硬件
加速器支持增强的图形用户界面，以减少CPU负载
LCD-TFT控制器支持高达XGA分辨率
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 100-LQFP（14x14） | 包装 | 托盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M7 | 内核规格 | 32-位 |
| 速度 | 550MHz | 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT | I/O数 | 80 |
| 程序存储容量 | 1MB（1M x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 564K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 12x12/b，18x16b; D/A 2x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM32 |
| HTSUS | 8542.31.0001 | 产品应用 | 高性能MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | ECCN | 3A991A2 |
| REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32H723VGT6原理图
STM32H723VGT6引脚图
STM32H723VGT6封装
STM32H723VGT6丝印
STM32H723VGT6料号解释
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