STM32L4R9ZGT6采用高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器家族(STM32L4+系列)。它们的工作频率最高可达120兆赫。Cortex-M4核心具有单精度浮点单元(FPU)，支持所有Arm?单精度数据处理指令和所有数据类型。cortex - m4核心还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和一个内存保护单元(MPU)，增强了应用程序的安全性。STM32L4R9ZGT6嵌入高速存储器(2mbytes的Flash存储器和640kbytes的SRAM)，用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(适用于100管脚及以上包的设备)，两个OctoSPI Flash存储器接口(适用于所有包)，以及广泛的增强I/ o和外设，连接到两个APB总线，两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
STM32L4R9ZGT6嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写保护、专有代码读出保护和防火墙。这些器件提供一个快速12位ADC (5 Msps)、两个比较器、两个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、两个通用32位定时器、两个专用于电机控制的16位PWM定时器、7个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。STM32L4R9ZGT6支持四个用于外部sigma delta调制器(DFSDM)的数字滤波器。此外，多达24个电容感应通道可用。
FlexPowerControl超低功耗
—1.71 V ~ 3.6 V电源
- -40°C至85/125°C温度范围
-批量采集模式(BAM)
—VBAT模式下305na:供RTC和
32x32位备份寄存器
- 33na关机模式(5个唤醒引脚)
- 125 nA待机模式(5个唤醒引脚)
- 420 nA RTC待机模式
—2.8 μA带RTC Stop 2
—110 μA/MHz运行模式(LDO模式)
- 43 μA/MHz运行模式(@ 3.3 V SMPS模式)
-从停止模式唤醒5μs
—除关机外的所有模式下的BOR (Brownout reset)
-互连矩阵
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU与FPU，
自适应实时加速器(ART
加速器)允许0等待状态执行
从闪存，频率高达120兆赫，
MPU, 150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，和DSP指令
性能基准
- 1.25 DMIPS/MHz (Drystone 2.1)
- 409.20 Coremark(3.41 Coremark/MHz @120 MHz)
能源基准
- 233 ULPMarkCP评分
- 56.5 ULPMarkPP评分
时钟源
- 4至48 MHz晶体振荡器
- 32 kHz晶体振荡器用于RTC (LSE)
-内部16mhz工厂修剪RC(±1%)
-内部低功率32 kHz RC(±5%)
-内部多速100 kHz至48 MHz
振荡器，LSE自动调整(优于±0.25%精度)
-内部48兆赫时钟恢复
- 3个锁相环用于系统时钟，USB，音频，ADC
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 144-LQFP（20x20） | 包装 | 托盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M4 | 内核规格 | 32-位 |
| 速度 | 120MHz | 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，SAI，SPI，UART/USART，USB OTG |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT | I/O数 | 112 |
| 程序存储容量 | 1MB（1M x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 640K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 16x12b；D/A 2x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM32L4R9 |
| HTSUS | 8542.31.0001 | 产品应用 | 超低功耗MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | ECCN | 3A991A2 |
| RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32L4R9ZGT6原理图
STM32L4R9ZGT6引脚图
STM32L4R9ZGT6封装
STM32L4R9ZGT6丝印
STM32L4R9ZGT6料号解释
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