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STM8L151K4T6TR
阅读:146时间:2024-04-10 16:46:16

STM8L151K4T6TR器件是STM8L系列超低功耗8位系列的成员。中等密度STM8L151K4T6TR的工作电压为1.8 V至3.6 V(断电时降至1.65 V),可在-40至+85°C和-40至+125°C温度范围内使用。中等密度STM8L151K4T6TR超低功耗系列具有增强型STM8 CPU内核,可提供更高的处理能力(在16 MHz时可达16 MIPS),同时保持CISC架构的优势,具有改进的代码密度、24位线性寻址空间和针对低功耗操作的优化架构。

STM8L151K4T6TR包括带有硬件接口(SWIM)的集成调试模块,允许非侵入式应用程序内调试和超快闪存编程。中等密度STM8L151K4T6TR微控制器均采用嵌入式数据EEPROM和低功耗、低电压、单电源程序闪存。它们包含大量增强的I/O和外围设备。外围设备组的模块化设计允许在不同的ST微控制器系列(包括32位系列)中找到相同的外围设备。这使得向不同家族的任何转换都非常容易,并且通过使用一组通用的开发工具而更加简化。建议使用28至48个引脚的六种不同封装。根据选择的设备,包括不同的外围设备集。所有STM8L151K4T6TR超低功耗产品都基于相同的架构,具有相同的内存映射和一致的引脚输出。

基础介绍

  厂商型号:STM8L151K4T6TR

  品牌名称:ST(意法半导体)

  元件类别:MCU

  封装规格:32-LQFP(7x7)

  型号介绍:超低功耗8位MCU

特点

  操作条件

  –工作电源范围1.8 V至

  3.6 V(断电时降至1.65 V)

  –温度范围:-40°C至85、105或125°C

  低功耗功能

  –5种低功率模式:等待、低功率运行

  (5.1μA),低功耗等待(3μA)、带全RTC的主动停止(1.3μA)和停止(350 nA)

  –功耗:195μA/MHz+440μA

  –每I/0:50 nA的超低泄漏

  –从暂停中快速唤醒:4.7μs

  高级STM8核心

  –哈佛架构和三级管道

  –最大频率16 MHz,16 CISC MIPS峰值

  –多达40个外部中断源

  重置和供应管理

  –低功耗、超安全BOR复位,具有5个可选阈值

  –超低功率POR/PDR

  –可编程电压检测器(PVD)

  时钟管理

  –1至16 MHz晶体振荡器

  –32 kHz晶体振荡器

  –内部16 MHz工厂修整RC

  –内部38 kHz低功耗RC

  –时钟安全系统

  低功耗RTC

  –BCD日历,带报警中断

  –从暂停自动唤醒,带周期性中断

  LCD:最多4x28段,带升压转换器

  记忆

  –高达32 KB的闪存程序内存

  和1K字节的数据EEPROM,带ECC、RWW

  –灵活的写和读保护模式

  –高达2 KB的RAM

中文参数

商品分类MCU微控制器品牌ST(意法半导体)
封装32-LQFP(7x7)包装圆盘
核心处理器STM8内核规格8 位
速度16MHz连接能力I2C,IrDA,SPI,UART/USART
外设欠压检测/复位,DMA,IR,POR,PWM,WDTI/O数30
程序存储容量16KB(16K x 8)程序存储器类型闪存
EEPROM容量1K x 8RAM大小2K x 8
电压-供电(Vcc/Vdd)1.8V ~ 3.6V数据转换器A/D 22x12b; D/A 1x12b
振荡器类型内部工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型基本产品编号STM8
HTSUS8542.31.0001产品应用超低功耗MCU

环境与出口分类

湿气敏感性等级(MSL)3(168 小时)ECCNEAR99
RoHS状态符合 ROHS3 规范REACH状态非 REACH 产品

原理图

STM8L151K4T6TR原理图

STM8L151K4T6TR原理图

引脚

STM8L151K4T6TR原理图

STM8L151K4T6TR引脚图

封装

STM8L151K4T6TR封装图

STM8L151K4T6TR封装

丝印

STM8L151K4T6TR丝印图

STM8L151K4T6TR丝印

料号解释

STM8L151K4T6TR料号解释图

STM8L151K4T6TR料号解释

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