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STM8L052R8T6TR
阅读:146时间:2024-04-10 16:45:06

高密度值线STM8L052R8T6TR是STM8L系列超低功耗8位家族的成员.STM8L052R8T6TR超低功耗系列具有增强型STM8 CPU核心,提供更高的处理能力(在16 MHz时最高可达16 MIPS),同时保持CISC架构的优势,提高代码密度,24位线性寻址空间和针对低功耗操作的优化架构。STM8L052R8T6TR包括一个集成调试模块与硬件接口(SWIM),允许非侵入式应用程序内调试和超快速Flash编程。STM8L052R8T6TR高密度值线STM8L05xxx微控制器具有嵌入式数据EEPROM和低功耗、低电压、单电源程序闪存。STM8L052R8T6TR提供12位ADC,实时时钟,4个16位定时器,1个8位定时器以及标准通信接口,如两个spi, I2C, 3个usart和8x24或4x28段LCD。8x24或4x 28段LCD可在高密度值线STM8L052R8T6TR。

STM8L052R8T6TR工作电压为1.8 V至3.6 V,可在-40至+85°C的温度范围内使用。 外设集的模块化设计允许在不同的ST微控制器系列(包括32位系列)中找到相同的外设。这使得向不同家族的任何过渡都非常容易,并且通过使用一组通用的开发工具而更加简化。 所有值线STM8L052R8T6TR超低功耗产品都基于相同的架构,具有相同的内存映射和一致的引脚。

基础介绍

  厂商型号:STM8L052R8T6TR

  品牌名称:ST(意法半导体)

  元件类别:MCU

  封装规格:64-LQFP(10x10)

  型号介绍:64 KB Flash

特点

  操作条件

  —工作电源:1.8 V ~ 3.6 V

  —温度范围:—40℃~ 85℃

  低功耗特性

  —5种低功耗模式:等待、低功耗运行

  (5.9 μ A),低功率等待(3 μ A),全RTC主动暂停(1.4 μ A),暂停(400 nA)

  -动态功耗:200μA/MHz + 330μA

  —超低泄漏/ I/0: 50na

  -快速从暂停唤醒:4.7μs

  先进的STM8核心

  -哈佛架构和3级管道

  -最大频率16mhz,峰值16 CISC MIPS

  —最多40个外部中断源

  重置和供应管理

  -低功耗,超安全BOR复位为5

  可编程的阈值

  -超低功耗POR/PDR

  -可编程电压检测器(PVD)

  时钟管理

  - 32 kHz和1至16 MHz晶体振荡器

  -内部16 MHz工厂修剪RC

  - 38千赫低消耗RC

  -时钟安全系统

  低功耗RTC

  - BCD日历报警中断

  -数字校准+/- 0.5ppm精度

  -先进的防篡改检测

  LCD: 8x24或4x28 w/升压转换器

  记忆

  - 64kb Flash程序内存和256字节数据EEPROM ECC,读写

  —灵活的读写保护模式

  - 4 KB RAM

中文参数

商品分类MCU微控制器品牌ST(意法半导体)
封装64-LQFP(10x10)包装圆盘
核心处理器STM8内核规格8 位
速度16MHz连接能力I2C,IrDA,SPI,UART/USART
外设欠压检测/复位,DMA,IR,LCD,POR,PWM,WDTI/O数54
程序存储容量64KB(64K x 8)程序存储器类型闪存
EEPROM容量256 x 8RAM大小4K x 8
电压-供电(Vcc/Vdd)1.8V ~ 3.6V数据转换器A/D 28x12b
振荡器类型内部工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型基本产品编号STM8
HTSUS8542.31.0001产品应用超低功耗MCU

环境与出口分类

湿气敏感性等级(MSL)3(168 小时)ECCNEAR99
RoHS状态符合 ROHS3 规范REACH状态非 REACH 产品

原理图

STM8L052R8T6TR原理图

STM8L052R8T6TR原理图

引脚

STM8L052R8T6TR原理图

STM8L052R8T6TR引脚图

封装

STM8L052R8T6TR封装图

STM8L052R8T6TR封装

丝印

STM8L052R8T6TR丝印图

STM8L052R8T6TR丝印

料号解释

STM8L052R8T6TR料号解释图

STM8L052R8T6TR料号解释

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