UCC5390SCDR是单通道隔离式栅极驱动器，用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC5390SCDR将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC5390SCDR的UVLO2以GND2为基准，以获取真实的UVLO读数。
UCC5390SCDR采用4mm SOIC-8 (D)或8.5mm SOIC-8 (DWV)封装，可分别支持高达 3kVRMS和5kVRMS的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC5390SCDR非常适合电机驱动器和工业电源。与光耦合器相比，UCC5390SCDR的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。
●分离输出 (UCC53x0S)
●以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
●米勒钳位选项 (UCC53x0M)
●8 引脚 D(4mm 爬电)和
●DWV(8.5mm 爬电)封装
●60ns(典型值)传播延迟
●100kV/μs 最低 CMTI
●隔离层寿命达 40 年以上
●3V 至 15V 输入电源电压
●高达 33V 的驱动器电源电压
●8V 和 12V UVLO 选项
●输入引脚具有负 5V 电压处理能力
安全相关认证：
●7000VPK 隔离 DWV(计划)和 4242VPK 隔离 D(符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准)
●5000VRMS DWV 和 3000VRMS D
●隔离等级长达 1 分钟(符合 UL 1577 标准)
符合 GB4943.1-2011
●D 和 DWV 标准的 CQC 认证(计划)
●CMOS 输入
●工作温度范围：–40°C 至 +125°C
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | TI(德州仪器) |
| 封装 | 8-SOIC | 包装 | 整包装 |
UCC5390SCDR原理图
UCC5390SCDR引脚图
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