UCC27712DR是一款620V高侧和低侧栅极驱动器，具有1.8A拉电流、2.8A灌电流能力，专用于驱动功率MOSFET或IGBT。对于IGBT，建议的VDD工作电压为10V至20V，对于功率MOSFET，建议的VDD工作电压为10V至17V。UCC27712DR包含保护功能，在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受宽泛的偏置电源范围并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。
UCC27712DR采用TI先进的高压器件技术，具有强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高dV/dt容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA)，以及互锁。
UCC27712DR包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在UCC27712DR上，每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。
· 高侧和低侧配置
· 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间
· 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
· VDD 建议范围为 10V 至 20V
· 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流
· 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
· HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
· 输入负电压容差为 –5V
· 大型负瞬态安全工作区
· 为两个通道提供 UVLO 保护
· 短传播延迟(典型值 100ns)
· 延迟匹配(典型值 12ns)
· 设计用于自举操作的悬空通道
· 低静态电流
· TTL 和 CMOS 兼容输入
· 行业标准 SOIC-8 封装
· 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | TI(德州仪器) |
| 封装 | SOIC-8 | 包装 | 整包装 |
| 电压-供电 | 10V~20V | 工作温度 | -40°C~125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | UCC27712 |
| HTSUS | 8542.39.0001 | 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT，N沟道，P沟道MOSFET | 逻辑电压-VIL，VIH | 1.5V，1.6V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 1.8A，2.8A | 输入类型 | - |
| 上升/下降时间（典型值） | 16ns，10ns | 高压侧电压-最大值（自举） | 600V |
| 产品应用 | 汽车级 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | 湿气敏感性等级(MSL) | 2（1年） |
| REACH状态 | 非REACH产品 | ECCN | EAR99 |
UCC27712DR原理图
UCC27712DR引脚图
UCC27712DR封装
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