UCC27511DBVR是单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关。UCC27511DBVR采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。
UCC27511DBVR特有双输入设计，同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN+引脚)配置。IN+引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保输出被保持在低电平。因此，未使用的输入引脚不能保持在悬空状态，而需要被适当的偏置以确保驱动器输出被启用用于正常运行。
UCC27511DBVR的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路，此逻辑电路是固定的且与VDD电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。
UCC27511DBVR提供4A拉电流，8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生、米勒接通效应的能力。UCC27511DBVR还具有一个独特的分离输出配置，其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出，通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚上使用独立的接通和关断电阻，并且能轻松控制开关转换率。
UCC27511DBVR具有4.5V至18V的宽VDD范围，以及–40°C至140°C的宽温度范围。VDD引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行，并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
· 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
· 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
· 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
· UCC27511 内部采用分离输出配置(便于单独调整接通和关断速度)，节省了一个二极管
· 短暂传播延迟(典型值 13ns)
· 短暂上升和下降时间(典型值分别为 9ns 和 7ns)
· 4.5V 至 18V 单电源范围
· VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平(确保加电和断电时无毛刺脉冲运行)
· 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值(与电源电压无关)
· 针对高抗扰度的滞后逻辑阈值
· 双输入设计(可选择反相(IN- 引脚)或非反相(IN+ 引脚)驱动器配置)
o 未使用的输入引脚可用于使能或禁用功能
· 当输入引脚悬空时，输出保持在低电平
· 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
· -40°C 至 140°C 的运行温度范围
· 6 引脚 DBV (SOT-23) 和 6 引脚 DRS(3mm x
3mm 带有外露散热焊盘的晶圆级小外形无引线 (WSON))封装选项
· 开关模式电源
· DC-DC 转换器
· 用于数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
· 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
· 用于新上市的宽带隙电源器件(例如 GaN)的栅极驱动器
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | TI(德州仪器) |
| 封装 | SOT-23-6 | 包装 | 整包装 |
| 电压-供电 | 4.5V~18V | 工作温度 | -40°C~140°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | UCC27511 |
| HTSUS | 8542.39.0001 | 驱动配置 | 低端 |
| 通道类型 | 单路 | 驱动器数 | 1 |
| 栅极类型 | IGBT，N沟道MOSFET | 逻辑电压-VIL，VIH | 1V，2.4V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 4A，8A | 输入类型 | 反相，非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 8ns，7ns | 产品应用 | 汽车级 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） |
| REACH状态 | 非REACH产品 | ECCN | EAR99 |
UCC27511DBVR原理图
UCC27511DBVR引脚图
UCC27511DBVR封装
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