1EBN1001AE是一款IGBT/MOSFET栅极驱动器放大器，专为10kW以上的汽车电机驱动而设计。1EBN1001AE基于高性能双极技术，旨在取代基于分立器件的缓冲级。由于其热优化的外露焊盘封装，1EBN1001AE能够驱动和吸收敢达15 A的峰值电流。这使得该设备适用于汽车应用中的大多数逆变器系统。除了基本的栅极驱动功能外，1EBN1001AE还支持高级功能，例如具有快速反应时间的有源箝位(带外部二极管)。也可以通过外部信号抑制有源箝位功能。为了简化有源短路(ASC)策略的实施，并使该设备适用于安全相关系统，达到ASIL D(根据IEC 61508和ISO 26262)，还实施了其他功能。1EBN1001AE可与Infineon的第二代栅极驱动器IC(如1EDI200xAS“EiceSIL”)最佳配合使用。
●单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器升压器
●适用于高达 650 V/800A 和 1200 V/400A 的 IGBT 等级
●低传播延迟和最小 PWM 失真
●单独的开启和关闭信号路径
●支持负关闭偏差
●14 引脚 PG-DSO-14 散热焊盘环保封装
●通过 AEC-Q100 认证
●混合动力汽车/电动汽车((H)EV)应用
●商用、工程和农用车辆(CAV)
●电机控制和驱动
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌） |
| 封装 | PG-DSO-8-66 |
1ED3121MU12HXUMA1原理图
1ED3121MU12HXUMA1引脚图
1ED3121MU12HXUMA1封装
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