栅漏电流（Gate Leakage Current）是指MOS场效应管（MOSFET）中栅极和源极之间的漏电流。在实际使用中，由于工艺制造和设备的参数不可避免地存在一些偏差，从而导致栅漏电流的产生。
栅漏电流是由于MOSFET的栅结构和附近区域存在浓度不均、缺陷等因素引起的电子隧穿或者热发射等现象所形成的泄漏电流。其大小与栅电压、晶体管制造工艺以及温度等诸多因素有关。
栅漏电流是非常微弱的电流，一般情况下采用以下计算公式进行估算：
<p center;"="" style='"text-align:'>$I_G=I_{G0}left(frac{T}{T_0}right)^nmathrm{exp}left[frac{-E_G}{k_B(T-T_0)}right]$
其中，$I_G$为栅漏电流，$I_{G0}$为温度为$T_0$时的栅漏电流，$T$为当前温度，$n$为取决于MOSFET工艺和温度的常数，$E_G$为带隙能在绝对温度下的值，$k_B$为玻尔兹曼常数。
栅漏电流大小主要受以下因素影响：
栅电压：栅电压越高，隧穿概率越大，栅漏电流也会相应增加。
温度：温度越高，电子具有更多的热能，更容易通过势垒层，同时缺陷态密度也会增加，导致栅漏电流上升。
晶体管制造工艺：制造工艺差异会导致晶体管中缺陷原子等存在浓度不同，从而导致栅漏电流的大小不同。
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