瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

　　I型（CC型）特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

　　II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

　　据《GJB192A瓷介电容器总规范》规定，瓷介电容技术的工序应该包括但不限于下列工序

　　a 原材料的配料与混合

　　b 介质片的制造

　　c 叠片和印制电极

　　d 层压和切块

　　e 芯片烧结

　　f 端电极涂镀

　　g 包装

　　CT1型圆形瓷片低频电容

　　环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%）472-403（+80-- -20%）

　　CC01圆形瓷片电容：

　　环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg

　　允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

　　温度系数：1—4P +120(+-60)PPM  4—56P –47(+-60)PPM

　　56—180P –750(+-250)PPM

　　180—390P –1300(+-250)PPM

　　430—820P –3300(+-500)PPM

　　CT01圆形瓷片电容：

　　环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

　　允差：+80 -20%容量：1000-47000p

　　工作电压：63v 试验电压：200v