双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。

　　电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构

　　封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准.

　　尺寸: 适合于各种IGBT保护。

　　电容量: 0.0047 to 6.8μF

　　额定电压: 700 to 3000 Vdc

　　损耗角正切:

　　测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

　　Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4

　　绝缘电阻: 3000s，s= MΩ. μF

　　测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃)

　　耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s，t 25±5℃，1Min

　　工作温度: -40~+85℃

　　母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，对IGBT 电路尤其是大功率IGBT 电路，有极大的影响。因此，希望它愈小愈好。要减小这些电感，需从多方面入手。，直流母线要尽量地短；第二，缓冲电路要尽可能地贴近模块；第三，选用低电感的聚丙烯无极电容，与IGBT 相匹配的快速缓冲二极管，以及无感泄放电阻；第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT 模块上的。显然，一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果，能限度地保护IGBT 安全运行。