触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V（B0）时，器件呈高阻态。当U>V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V（BR）时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V（B）表示。△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）应小于2伏。触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管，表针均应不动（RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各一次），电压大的一次V（BR）。例如：测一只DB3型二极管，次为27.5V，反向后再测为28V，则△V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V<2V,表明该管对称性很好。

      （1）测量转折电压

　　测量触发二极管的转折电压有三种方法：

　　1）将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压，同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。

　　2）用0~50V连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二极管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。

　　3）先用万用表测出市电电压U，然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值U1，再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V，则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。

　　（2）正、反向电阻值的测量

　　用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二极管已击穿损坏。

      触发二极管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层，并建自建电场。当外加电压不存在，是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的，同时漂移，并在平衡状态。当外面的世界有着积极的偏压，外电场与电场的相互自我抑制的作用，在消除承运人增加，从目前的扩散正向电流。当外面世界的反向偏压，外电场和电场，以进一步加强自身建设，在某种形式的反向电压和反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0 。当反向电压应用到一定程度，PN结的空间电荷层的临界电场强度值承运人乘法过程中，大量的电子空穴对，有相当部分的数值反向击穿电流。触发二极管由硅NPN三层结构组成，它是一个具有对称性的半导体二极管器件，可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管。