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高压P沟道mos管
阅读:1068时间:2021-09-23 15:35:42

 改动栅压可以改动沟道中的电子密度,从而改动沟道的电阻,这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。

目录

原理

正常工作时,P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连,而漏心极的电压Vds应为负值,以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏,同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道,栅极对源极的电压Vgs也应为负。

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