扫描电容显微镜是通过在原子力显微镜（AFM）探针上导电涂层并扫描半导体表面来测量电容的变化，从而对载流子分布进行二维可视化。当AFM探针与半导体接触时，接触位置变为MOS结构，该MOS结构被认为是其中半导体表面上的氧化膜的电容C Ox与半导体的电容C D连接的系统。当施加V AC（最高100kHz）时，由于在探头正下方的半导体中的载流子振动，组合电容C会波动。
扫描电容显微镜
由于这种变化的幅度取决于探头正下方的载流子浓度，因此在扫描探头时，通过测量由组合电容C的变化⊿C产生的高频谐振器的调制信号，可以二维测量载流子分布。可以可视化,通过比较V AC和V OUT的相位来确定半导体的P / N极性。
扩散层p/n极性的测定
LSI局部区域的扩散层形状评价
半导体元件（例如双极晶体管，二极管，DMOS和IGBT）的扩散层形状评估
半导体元件缺陷部位的扩散层形状评估，例如注入异常和泄漏缺陷
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