IXYS功率MOSFET设计用于低于100MHz的射频应用、线性应用以及大功率、高频和高速开关应用。这些功率MOSFET有各种标准工业封装选项可供选择，可满足广泛的市场需求，并符合各类电气设计要求以及各种机械和安装规范。
针对射频和高速开关进行了优化
高功率密度
易于安装，无需绝缘体
出色的热传递性能
电压 (VDSS) 范围：100V至1200V
电流 (ID) 范围：9A至60A
RDSON：0.038Ω至7.8Ω
工作模式选项：
开关
线性
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