手机处理器
　　高通方面表示，由于采用全新的10纳米制程工艺，骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。借助10纳米工艺制程，高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。
　　服务器处理器
　　高通于12月初宣布颗10奈米服务器芯片开始送样。QualcommCentriq2400系列处理器，为QualcommCentriq系列的首款产品，采用的10nm鳍式制造(FinFET)技术，可配置48颗核心。高通还演示了在QualcommCentriq2400处理器上运行基于Linux和Java的ApacheSpark和Hadoop。QualcommCentriq2400处理器系列目前已经向主要的潜在客户提供样品，并预计在2017年下半年实现商用。

　　新材料的应用
　　目前，制造芯片的原材料以硅为主。不过，硅的物理特性限制了芯片的发展空间。2015年4月，英特尔宣布，在达到7nm工艺之后将不再使用硅材料。
　　III-V族化合物、石墨烯等新材料为突破硅基芯片的瓶颈提供了可能，成为众多芯片企业研究的焦点，尤其是石墨烯。
　　相比硅基芯片，石墨烯芯片拥有极高的载流子速度、优异的等比缩小特性等优势。IBM表示，石墨烯中的电子迁移速度是硅材料的10倍，石墨烯芯片的主频在理论上可达300GHz，而散热量和功耗却远低于硅基芯片。麻省理工学院的研究发现，石墨烯可使芯片的运行速率提升百万倍。
　　制约石墨烯芯片的因素是石墨烯的成本问题，不过随着制作工艺已逐渐成熟，石墨烯的成本呈下降趋势，石墨烯芯片量产的日子也不会太远。2011年底，宁波墨西科技建成年产300吨的石墨烯生产线，每克石墨烯销售价格只要1元。2016年4月，华讯方舟做出了石墨烯太赫兹芯片。
　　新技术的应用
　　除了FinFIT技术外，三星、英特尔等芯片厂商近些年纷纷投入到FD-SOI（全耗尽绝缘体硅）工艺、硅光子技术、3D堆叠技术等的研究中，以求突破FinFET的制造极限，拥有更多的主动权。各种新技术中，犹以3D堆叠技术为研究重点。
　　3D堆叠技术通过在存储层上叠加逻辑层，将芯片的结构由平面型升级成立体型，大大缩短互连线长度，使得数据传输更快，所受干扰更小。