半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)和上部晶体管(T2)的低端驱动模块(110)和高端驱动模块(210)。每个驱动模块(110，210)是电荷俘获电路，其中低端驱动模块(110)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1)，以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交替地重新充电该电容性负载(C)。每个电荷俘获电路(110，210)还包括二极管(D1，D2)，它阻止在被驱动的晶体管(T1，T2)的栅极上电荷的非故意损失，以及包括齐纳二极管(Z1，Z2)，它把栅极电压箝位在安全电平。这样，半桥电路被有效地驱动，而不需要辅助电源。
上部晶体管(T2)
其具有一源极被连接到输出端(120)，以及具有一漏极被连接到轨(130)用于施加高直流电压；
下部晶体管(T1)
其具有一源极被连接到轨(140)用于施加低直流电压，以及具有一漏极被连接到输出端(120)；
上部晶体管控制电路(HS)，用于通过把一个信号施加到上部晶体管(T1)的控制端而驱动该上部晶体管(T2)；以及下部晶体管控制电路(110)，用于通过把一个信号施加到下部晶体管(T1)的控制端而驱动下部晶体管(T1)，该下部晶体管控制电路 (110)包括：第三晶体管(T3)，其具有一漏极被连接到输出端(120)，以及其具有一源极被连接到二极管(D1)的阳极，该二极管(D1)的阴极被连接到下部晶体管(T1)的控制端；以及第四晶体管(T4)，其具有一漏极被连接到下部晶体管(T1)的控制端，以及其具有一源极被连接到用于施加低直流电压的轨(140)。
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