RGB的衰减问题与紫外线对人体影响，都是短期内比较难解决的问题，因此虽然都可以达到白光的需求，却有不同的结果。RGB在应用上，明显比白光LED来得多元，如车灯、交通号志、橱窗等，需要用到某一波段的灯光时，RGB的混色可以随心所欲，相较之下，白光LED就比较吃亏，因此当然在效果上比较强。白光LED在清晰度与色纯度都明显逊于RGB之下，此外，光衰减的问题，晶圆造价贵，都使RGB灯变得更有优势。
　　在RGB分开时单独控制，虽然可以直接控制，混色也不错，但是要达到混的白光相当纯正是一大问题，虽然造价贵，但相对来说质量也比较好，至于白光LED灯来说，虽然造价便宜，可以直接取代CCFL，成为LED的主要技术，但是相对来说，因为波长频率的问题而封装在一起，这样散射出来的情况也会不稳定。
　　RGB灯在控制上的问题仍有待加强，举例来说，如果其中一颗灯坏了，在整个屏幕上会相当明显，反之，白光LED灯则可以互相补足，因为是旁射关系，因此可以补足某颗坏掉的LED，并且均匀性的补足，让整体状况看起来不会太差。

　　PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放出去。这就是PN结发光的原理。

　　一般称为组件的外部量子效率，其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率，其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性（如组件材料的能带、缺陷、杂质）、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出效率则指的是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反射后，实际在组件外部可测量到的光子数目。因此，关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积，就是整个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。早期组件发展集中在提高其内部量子效率，主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构，使电能不易转换成热能，进而间接提高LED的发光效率，从而可获得70%左右的理论内部量子效率，但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。在这样的状况下，光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的，因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。目前的方法主要是：晶粒外型的改变——TIP结构，表面粗化技术。