概述

    英文名称：Flyback Transformer，Flyback Converter.

    优点

    反激式变压器的优点有:

    1. 电路简单,能高效提供多路直流输出,因此适合多组输出要求.

    2. 转换效率高,损失小.

    3. 变压器匝数比值较小.

    4. 输入电压在很大的范围内波动时,仍可有较稳定的输出,目前已可实现交流输入在 85~265V间.无需切换而达到稳定输出的要求.

    缺点

    反激式变压器的缺点有:

    1. 输出电压中存在较大的纹波,负载调整精度不高,因此输出功率受到限制,通常应用于150W以下.

    2. 转换变压器在电流连续(CCM)模式下工作时,有较大的直流分量,易导致磁芯饱和,所以必须在磁路中加入气隙,从而造成变压器体积变大.

    3. 变压器有直流电流成份,且同时会工作于CCM / DCM两种模式,故变压器在设计时较困难,反复调整次数较顺向式多,迭代过程较复杂.

    基本原理

    当开关晶体管Tr ton时,变压器初级Np有电流 Ip,并将能量储存于其中(E = LpIp / 2).由于Np与Ns极性相反,此时二极管D反向偏压而截止,无能量传送到负载.当开关Tr off 时,由楞次定律: (e = -N△Φ/△T)可知,变压器原边绕组将产生一反向电势,此时二极管D正向导通,负载有电流IL流通.反激式转换器之稳态波形

    导通时间 ton的大小将决定Ip、Vce的幅值:

    Vce max = VIN / 1-Dmax

    VIN: 输入直流电压 ; Dmax : 工作周期

    Dmax = ton / T

    由此可知,想要得到低的集电极电压,必须保持低的Dmax,也就是Dmax<0.5,在实际应用中通常取Dmax = 0.4,以限制Vcemax ≦ 2.2VIN.

    开关管Tr on时的集电极工作电流Ie,也就是原边峰值电流Ip为: Ic = Ip = IL / n. 因IL = Io,故当Io一定时,匝比 n的大小即决定了Ic的大小,上式是按功率守恒原则,原副边安匝数 相等 NpIp = NsIs而导出. Ip亦可用下列方法表示:

    Ic = Ip = 2Po / (η*VIN*Dmax)η: 转换器的效率

    公式导出如下:

    输出功率 : Po = LIp2η / 2T

    输入电压 : VIN = Ldi / dt设 di = Ip,且 1 / dt = f / Dmax,则:

    VIN = LIpf / Dmax 或 Lp = VIN*Dmax / Ipf

    则Po又可表示为 :

    Po = ηVINf DmaxIp2 / 2f Ip = 1/2ηVINDmaxIp

    ∴Ip = 2Po / ηVINDmax

    上列公式中 :

    VIN : 最小直流输入电压 (V)

    Dmax : 导通占空比

    Lp : 变压器初级电感 (mH)

    Ip : 变压器原边峰值电流 (A)

    f : 转换频率 (KHZ)

    工作方式

    反激式变压器一般工作于两种工作方式 :

    1. 电感电流不连续模式DCM (Discontinuous Inductor Current Mode)或称 " 完全能量转换 ": ton时储存在变压器中的所有能量在反激周期 (toff)中都转移到输出端.

    2. 电感电流连续模式CCM ( Continuous Inductor Current Mode) 或称 " 不完全能量转换 " : 储存在变压器中的一部分能量在toff末保留到下一个ton周期的开始.

    DCM和CCM在小信号传递函数方面是极不相同的,其波形如图3.实际上,当变换器输入电压VIN 在一个较大范围内发生变化,或是负载电流 IL在较大范围内变化时,必然跨越着两种工作方式.因此反激式转换器要求在DCM / CCM都能稳定工作.但在设计上是比较困难的.通常我们可以以DCM / CCM临界状态作设计基准.,并配以电流模式控制PWM.此法可有效解决DCM时之各种问题,但在 CCM时无消除电路固有的不稳定问题.可用调节控制环增益编离低频段和降低瞬态响应速度来解决CCM时因传递函数 " 右半平面零点 "引起的不稳定.

    DCM和CCM在小信号传递函数方面是极不相同的.

    DCM / CCM原副边电流波形图

    实际上,当变换器输入电压VIN在一个较大范围内发生变化,或是负载电流 IL在较大范围内变化时,必然跨越着两种工作方式.因此反激式转换器要求在DCM / CCM都能稳定工作.但在设计上是比较困难的.通常我们可以以DCM / CCM临界状态作设计基准.,并配以电流模式控制PWM.此法可有效解决DCM时之各种问题,但在CCM时无消除电路固有的不稳定问题.可用调节控制环增益编离低频段和降低瞬态响应速度来解决CCM时因传递函数 " 右半平面零点 "引起的不稳定.

    在稳定状态下,磁通增量ΔΦ在ton时的变化必须等于在"toff"时的变化,否则会造成磁芯饱和.

    因此,

    ΔΦ = VIN ton / Np = Vs*toff / Ns

    即变压器原边绕组每匝的伏特/秒值必须等于副边绕组每匝伏特/秒值.

    比较图3中DCM与CCM之电流波形可以知道:DCM状态下在Tr ton期间,整个能量转移波形中具有较高的原边峰值电流,这是因为初级电感值Lp相对较低之故,使Ip急剧升高所造成的负面效应是增加了绕组损耗(winding lose)和输入滤波电容器的涟波电流,从而要求开关晶体管必须具有高电流承载能力,方能安全工作.

    在CCM状态中,原边峰值电流较低,但开关晶体在ton状态时有较高的集电极电流值.因此导致开关晶体高功率的消耗.同时为达成CCM,就需要有较高的变压器原边电感值Lp,在变压器磁芯中所储存的残余能量则要求变压器的体积较DCM时要大,而其它系数是相等的.

    综上所述,DCM与CCM的变压器在设计时是基本相同的,只是在原边峰值电流的定义有些区别 ( CCM时 Ip = Imax - Imin ).

    FLYBACK变压器设计之考量因素

    1.储能能力.当变压器工作于CCM方式时,由于出现了直流分量,需加AIR GAP,使磁化曲线向 H 轴倾斜,从而使变压器能承受较大的电流,传递更多的能量.

    Ve: 磁芯和气隙的有效体积.

    or P = 1/2Lp (Imax2 - Imin2)

    式中Imax, Imin —— 为导通周期末,始端相应的电流值.

    由于反激式变压器磁芯只工作在象限磁滞回线,磁芯在交、直流作用下的B.H效果与AIR GAP大小有密切关联,如图4.在交流电流下气隙对ΔBac无改变效果,但对ΔHac将大大增加,这是有利的一面,可有效地减小CORE的有效磁导率和减少原边绕组的电感.

    在直流电流下气隙的加入可使CORE承受更加大的直流电流去产生HDC,而BDC却维持不变,因此在大的直流偏置下可有效地防止磁芯饱和,这对能量的储存与传递都是有利的. 当反激变压器工作于CCM时,有相当大的直流成份,这时就必须有气隙.

    外加的伏秒值,匝数和磁芯面积决定了B轴上ΔBac值; 直流的平均电流值,匝数和磁路长度决定了H轴上HDC值的位置. ΔBac对应了ΔHac值的范围.可以看出,气隙大ΔHac就大. 如此,就必须有足够的磁芯气隙来防止饱和状态并平稳直流成分.

    反激式变压器设计步骤

    例如：输入电压:AC90-264V 输出电压:19V 输出电流:3.16A 输出功率:60W 频率:70K

    Step1. 选择CORE材质,确定△B

    本例为ADAPTER DESIGN,由于该类型机散热效果差,故选择CORE材质应考量高Bs,低损耗及高μi材质,结合成本考量,在此选用Ferrite Core, 以TDK 之 PC40 or PC44为优选, 对比TDK DATA BOOK, 可知 PC44材质单位密度

    相关参数如下: μi = 2400 ± 25% Pvc = 300KW / m2 @100KHZ ,100℃

    Bs = 390mT Br = 60mT @ 100℃ Tc = 215℃

    为防止X'FMR出现瞬态饱和效应, 此例以低△B设计.

    选 △B = 60%Bm, 即△B = 0.6 * (390 - 60) = 198mT ≒0.2 T

    Step2确定Core Size和 Type.

    1> 求core AP以确定 size

    AP= AW*Ae=(Pt*104)/(2ΔB*fs*J*Ku)

    = [(60/0.83+60)*104]/(2*0.2*70*103*400*0.2) = 0.59cm4

    式中 Pt = Po /η +Po 传递功率;

    J : 电流密度 A / cm2 (300~500) ; Ku: 绕组系数 0.2 ~ 0.5 .

    2> 形状及规格确定.

    形状由外部尺寸,可配合BOBBIN, EMI要求等决定,规格可参考AP值及形状要求而决定, 结合上述原则, 查阅TDK之DATA BOOK,可知RM10, LP32/13, EPC30均可满足上述要求,但RM10和EPC30可用绕线容积均小于LP32/13,在此选用LP32/13 PC44,其参数如下:

    Ae = 70.3 mm2 Aw = 125.3mm2 AL = 2630±25% le = 64.0mm

    AP = 0.88 cm4 Ve = 4498mm3 Pt = 164W ( forward )

    Step3估算临界电流 IOB ( DCM / CCM BOUNDARY )

    本例以IL达80% Iomax时为临界点设计变压器.

    即 : IOB = 80%*Io(max) = 0.8*3.16 = 2.528 A

    Step4求匝数比 n

    n = [VIN(min) / (Vo + Vf)] * [Dmax / (1-Dmax)] VIN(min) = 90*√2 - 20 = 107V

    = [107 / (19 + 0.6)] *[0.5 / (1- 0.5)]

    = 5.5 ≒ 6

    匝比 n 可取 5 或 6,在此取 6 以降低铁损,但铜损将有所增加.

    CHECK Dmax:

    Dmax = n (Vo +Vf) / [VINmin + n (Vo + Vf)]= 6*(19 + 0.6) /[107 + 6*(19 + 0.6)] = 0.52

    Step5求CCM / DCM临

    ΔISB = 2IOB / (1-Dmax) = 2*2.528 / (1-0.52) = 10.533

    Step6计算次级电感 Ls 及原边电感 Lp

    Ls = (Vo + Vf)(1-Dmax) * Ts / ΔISB = (19+0.6) * (1-0.52) * (1/70000) / 10=12.76uH

    Lp = n*n*Ls = 6*6*12.76 = 459.4 uH ≒ 460

    此电感值为临界电感,若需电路工作于CCM,则可增大此值,若需工作于DCM则可适当调小此值.

    Step7求CCM时副边峰值电流Δisp

    Io(max) = (2ΔIs + ΔISB) * (1- Dmax) / 2 ΔIs = Io(max) / (1-Dmax) - (ΔISB / 2 )

    ΔIsp = ΔISB +ΔIs = Io(max) / (1-Dmax) + (ΔISB/2) = 3.16 / (1-0.52) + 10.533 / 2=11.85A

    Step8求CCM时原边峰值电流ΔIpp

    ΔIpp = ΔIsp / n = 11.85 / 6 = 1.975 A

    Step9确定Np、Ns

    1> Np

    Np = Lp * ΔIpp / (ΔB* Ae) = 460*1.975 / (0.2*70.3) = 64.6 Ts

    因计算结果为分数匝,考虑兼顾原、副边绕组匝数取整,使变压器一、二次绕组有相同的安匝值,故调整 Np = 60Ts OR Np = 66Ts

    考量在设定匝数比n时,已有铜损增加,为尽量平衡Pfe与Pcu,在此先选 Np = 60 Ts.

    2> Ns

    Ns = Np / n = 60 / 6 = 10 Ts

    3> Nvcc

    求每匝伏特数Va Va = (Vo + Vf) / Ns = (19+0.6) / 10 = 1.96 V/Ts

    ∴ Nvcc = (Vcc + Vf) / Va =(12+1)/1.96=6.6

    Step10计算AIR GAP

    lg = Np2*μo*Ae / Lp = 602*4*3.14*10-7*70.3 / 0.46 = 0.69 mm

    Step11计算线径dw

    1> dwp

    Awp = Iprms / J Iprms = Po / η / VIN(min) = 60/0.83/107 = 0.676A

    Awp = 0.676 / 4 J取4A / mm2 or 5A / mm2

    = 0.1 (取Φ0.35mm*2)

    2> dws

    Aws = Io / J = 3.16 / 4 (Φ1.0 mm)

    量可绕性及趋肤效应,采用多线并绕,单线不应大于Φ0.4, Φ0.4之Aw= 0.126mm2, 则 0.79 (即Ns采用Φ0.4 * 6)

    3> dwvcc Awvcc = Iv / J = 0.1 /4

    上述绕组线径均以4A / mm2之计算,以降低铜损,若结构设计时线包过胖,可适当调整J之取值.

    4> 估算铜窗占有率.

    0.4Aw ≧Np*rp*π(1/2dwp)2 + Ns*rs*π(1/2dws)2 + Nvcc*rv*π(1/2dwv)2

    0.4Aw ≧60*2*3.14*(0.35/2)2+10*6*3.14+(0.4/2)2+7*3.14*(0.18/2)2

    ≧ 11.54 + 7.54 + 0.178 = 19.26

    0.4 * 125.3 = 50.12

    50.12 > 19.26 OK

    Step12估算损耗、温升

    求出各绕组之线长. 求出各绕组之RDC和Rac @100℃ 求各绕组之损耗功率 加总各绕组之功率损耗(求出Total值) 如 : Np = 60Ts , LP32/13BOBBIN绕线平均匝长 4.33cm

    则 INP = 60*4.33 = 259.8 cm Ns = 10Ts

    则 INS = 10*4.33 = 43.3 cm

    Nvcc = 7Ts

    则 INvc = 7 * 4.33 = 30.31cm

    查线阻表可知 : Φ0.35mm WIRE RDC = 0.00268Ω/cm @ 100℃

    Φ0.40mm WIRE RDC = 0.00203 Ω/cm @ 100℃

    Φ0.18mm WIRE RDC = 0.0106 Ω/cm @ 100℃

    R@100℃ = 1.4*R@20℃

    求副边各电流值. 已知Io = 3.16A.

    副边平均峰值电流 : Ispa = Io / (1-Dmax ) = 3.16 / (1- 0.52) = 6.583A

    副边直流有效电流 : Isrms = √〔(1-Dmax)*I2spa〕 = √(1- 0.52)*6.5832 = 4.56A

    副边交流有效电流 : Isac = √(I2srms - Io2) = √(4.562-3.162) = 3.29A

    求原边各电流值 :

    ∵ Np*Ip = Ns*Is

    原边平均峰值电流 : Ippa = Ispa / n = 6.58 / 6 = 1.097A

    原边直流有效电流 : Iprms = Dmax * Ippa = 1.097 * 0.52 = 0.57A

    原边交流有效电流 : Ipac = √D*I2ppa = 1.097*√0.52 = 0.79A

    求各绕组交、直流电阻.

    原边 : RPDC = ( lNp * 0.00268 ) / 2 = 0.348Ω

    Rpac = 1.6RPDC = 0.557Ω

    副边 : RSDC = ( lNS*0.00203 ) /6 = 0.0146Ω

    Rsac = 1.6RSDC = 0.0243Ω

    Vcc绕组 : RDC =30.31*0.0106 = 0.321Ω

    计算各绕组交直流损耗:

    副边直流损 : PSDC = Io2RSDC = 3.162 * 0.0146 = 0.146W

    交流损 : Psac = I2sac*Rsac = 3.292*0.0234 = 0.253W

    Total : Ps = 0.146 + 0.253 = 0.399 W

    原边直流损 : PPDC = Irms2RPDC = 0.572 * 0.348 = 0.113W

    交流损 : Ppac = I2pac*Rpac = 0.792*0.557 = 0.348W

    忽略Vcc绕组损耗(因其电流甚小) Total Pp = 0.461W

    总的线圈损耗 : Pcu = Pc + Pp = 0.399 + 0.461 = 0.86 W

    2> 计算铁损 PFe

    查TDK DATA BOOK可知PC44材之△B = 0.2T 时,Pv = 0.025W / cm2

    LP32 / 13之Ve = 4.498cm3

    PFe = Pv * Ve = 0.025 * 4.498 = 0.112W

    Ptotal = Pcu + PFe = 0.6 + 0.112 = 0.972 W 估算温升 △t 依经验公式 △t = 23.5PΣ/√Ap = 23.5 * 0.972 / √0.88 = 24.3 ℃

    估算之温升△t小于SPEC,设计OK.

    Step13结构设计

    查LP32 / 13 BOBBIN之绕线幅宽为 21.8mm.

    考量安规距离之沿面距离不小于6.4mm.

    为减小LK提高效率,采用三明治结构,其结构如下 :

    X'FMR结构 :