在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。 例如，日历、短信息和电话簿 （或通讯录） 可能会共享移动设备中的动态存储器。一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。
动态RAM的工作原理 和静态RAM一样，动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的。 3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读选择线和写选择线也是分开的。
写操作时
写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。让我们看一下动态效果。
读操作时
先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反；若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相在送往 数据总线。
同步
1：双倍数据速率2 存储器 (DDR2)
双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 一直以球形网格阵列 (BGA)封装方式供应。他们具有 3 纳秒，甚至 2.5纳 秒的低循环次数 (Cycle time) ，因此可达到 800 兆赫 (MHz) 的数据速率。反过来，与最初的双倍数据速率存储器相比，他们具有较长的等待时间 (Latency) 。不过，双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 速度明显快于 双倍数据速率 1 存储器。4/8 和 16 比特 (bit) 总线带宽情况下，他们的存储容量范围从 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。
相关产品：
尔必达 (Elpida):
双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)
海力士 (Hynix)：
双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)
美光 (Micron) ：
双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)
奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon)：
双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)
茂德科技 (Promos)：
双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)
三星 (Samsung) ：
双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)
2：双倍数据速率1 存储器 (DDR1)
代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (TSOP) 或球形网格阵列 (BGA)封装。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 提供 400 兆赫(MHz)的传输速率，存储容量从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存储器需 2.5V的电压及4,8,16 或 32比特的总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 的区别： 双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存取和等待时间较短。
相关产品：
尔必达 (Elpida):
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x4 / x8 / x16 / x32比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)
森富 (Eorex)：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特， x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP)
晶豪 (ESMT)：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形网格阵列 (BGA)，工业级温度。
钰创 (Etron)：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 64 兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形网格阵列 (BGA)
海力士 (Hynix)：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)
蕊成 (ISSI)：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形网格阵列 (BGA)，工业级温度。
美光 (Micron) ：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 - 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)，工业级温度。
茂德科技 (Promos)：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 - 512兆比特，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)， x8 / x16 / x32 比特 (bit)，工业级温度。
奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon)：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)
三星 (Samsung) ：
双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 128 兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)
3：同步动态存储器 (SDRAM)
同步动态存储器（简称为SDRAMs）以高达 200 MHz的时钟频率与总线频率同步运行。它们的存储容量从 16 兆比特到 512 兆比特 (16M – 512M bit)，在 4/8/16/32 比特 (bit) 总线带宽下可用。典型工作电压： 3.3伏。 封装： BGA（球形网格阵列）或TSOP（薄型小尺寸封装）。
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A-Device:
同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 – 128 兆比特，x16，薄型小尺寸封装 (TSOP)
联笙电子 (Amic)：
同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 64 兆比特，x16，薄型小尺寸封装 (TSOP)
尔必达 (Elpida):
同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512 兆比特，x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP)
森富 (Eorex)：
同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP)
晶豪 (ESMT)：
同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)，工业级温度。
钰创 (Etron)：
同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)，工业级温度。
海力士 (Hynix)：
同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 256 兆比特，x4 / x 8 / x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP)
蕊成 (ISSI)：
同步动态存储器 (SDRAM) 16 兆比特 – 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)，工业级温度。
美光 (Micron) ：
同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)，工业级温度。
茂德科技 (Promos)：
同步动态存储器 (SDRAM) 128 兆比特 - 256兆比特，x8 / x16 比特 (bit), 薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA), 工业级温度。
奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon):
同步动态存储器 (SDRAM) 128 兆比特 – 256 兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA)
三星 (Samsung) ：
同步动态存储器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) ，工业级温度
4：移动双倍数据速率 (Mobile DDR)
移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 存储器的存储容量范围从 64 兆比特到1 千兆比特。总线带宽：1.8V 工作电压下x16 / x32 比特 (bit)。应用领域： 所有移动设备，例如扫描仪，个人数码助理 (PDA)、移动数码助理 (MDA)、便携式媒体播放器 (PMP) 、移动电视、数码相机、 MP3 播放器...
相关产品：
Fidelix:
移动双倍数据速率 (Mobile DDR)，即将上市！
海力士 (Hynix)：
移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)，1.8V，扩展级温度。
美光 (Micron)：
移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)，1.8V，扩展级温度。
三星 (Samsung)：
移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)，1.8V，扩展级温度。
奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon)：
移动双倍数据速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA)，1.8V，扩展级温度。
5：移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM)
存储组件运行和待机电流非常低而容量却很大，。移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 可与传统的同步动态存储器 (SDRAM) 兼容，非常适用于 移动通讯设备。工作电压：3.3伏，2.5伏甚至低至与移动双倍数据速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步动态存储器使用较为节省空间的球形网格阵列 (BGA) 进行封装，接触区域 在其下面。
相关产品：
联笙电子 (Amic)：
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特， x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封装 (TSOP) /球形网格阵列 (BGA),1.8V
森富 (Eorex)：
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA),3.3V/1.8V
Fidelix:
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 32 兆比特 – 256 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA),3.3V/1.8V
海力士 (Hynix) :
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 256 兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA),1.8V
美光 (Micron)：
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 64兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA),1.8V
奇梦达 (Qimonda) 前身为英飞凌 (Infineon)：
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V
三星 (Samsung)：
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 64 兆比特 – 512 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形网格阵列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V
异步
扩展数据输出 (EDO) /快速页面模式 (FPM)
扩展数据输出动态存储器/快速页面模式动态存储器 (EDO / FPM DRAM)
扩展数据输出动态存储器 (EDO) 和快速页面模式动态存储器 (FPM) 在价值上并没有什么不同，但这无关于技术。它们的存储容量同样都从1 兆比特到 64 兆比特 ，总线带宽 x4 / x8 / x16 比特 (bit) 。我们可以提供 3.3V 和5V TSOP (薄型小型封装) 和SOJ (小型J形引线) 封装。异步动态存储器不再大量生产，因此，价格较其它动态存储器要高。
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联笙电子 (Amic)、晶豪 (ESMT)、蕊成 (ISSI)：
扩展数据输出动态存储器 4兆比特 – 16 兆比特，x16 比特 (bit)，小型外线式J形引线 (SOJ) /薄型小尺寸封装 (TSOP)， 3.3V。
经验证，动态存储器是采用超大容量的存储技术，但是，其存储组件要求由处理器控制的刷新周期。它与静态存储器等其它存储技术相比，耗电量相对较高。优点： 跟其它类型的存储器相比，每兆比特的价格为。
所有类型的计算机系统、移动电话等移动装置、数据记录设备、打印机、控制系统等。
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