IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。
随着杂散电感的增大，IGBT的开通损耗会降低，二极管损耗则会增大。杂散电感还可能导致振荡，比如由电流突变引起的振荡，这可能导致由于EMI或过压限制而引起的器件使用受限。
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